一种高粘附比的转印印章及干式转印方法技术

本发明专利技术公开了一种高粘附比的转印印章及干式转印方法，属于微纳制造领域；在衬底上制备无粘附层金属微纳结构；衬底疏水修饰，在衬底上旋涂薄膜前体溶液退火得到纳米薄膜；将可变粘附的转印印章共形贴附在薄膜的上表面，冷却至室温后剥离薄膜，实现薄膜与硅基晶圆衬底的分离；将可变粘附的转印印章和薄膜共形贴附于受体衬底上；再次加热使得印章变软并匀速剥离印章，将薄膜释放在受体衬底上，完成薄膜的转印，去除薄膜，得到受体衬底上的金属微纳结构。光固化热响应印章采用可光固化的复合相变材料进行制备，在低温热刺激下展现出高可切换粘附比和高刚度力学性能切换。本发明专利技术方法可用于在曲面及柔性衬底上制造从纳米级到晶圆级的功能元件。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及微纳制造领域，尤其涉及一种高粘附比的转印印章及干式转印方法。

技术介绍

1、光刻技术作为一种高精度、先进的制造工艺，被广泛应用于大规模、高精度和高集成度器件的制造，目前光刻分辨率已达到亚10 nm节点。标准光刻制造工艺包括光刻胶涂覆、烘烤、紫外线/电子束曝光、显影、沉积、蚀刻和剥离等基本步骤。然而，标准光刻制造工艺主要适用于平面刚性衬底，无法与曲面衬底或有机柔性衬底兼容。曲面衬底因其复杂的表面形貌，在光刻胶涂覆、曝光等工艺流程中无法满足均匀性，导致光刻图案精度差、稳定性低。有机柔性衬底在高温、紫外线曝光或电子束等工艺过程中容易受损，且其稳定性可能受到有机溶剂的影响。这些限制严重制约了标准光刻技术在有机半导体、柔性电子、曲面电子和可穿戴设备等领域的应用。

2、转印技术通过使用印章将预先定义的元件等从刚性供体衬底转移到接收衬底（通常为曲面或柔性衬底），从而避免了有机柔性衬底与标准光刻技术不兼容的问题。成功实施转印的关键在于能够调节印章的粘附强度，使其在拾取时保持强粘附状态，而在释放时保持弱粘附状态。目前已开发出多种类型的印章，包括聚二本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种高粘附比的转印印章，其特征在于，按质量百分比组份包括：

2.根据权利要求1所述的一种高粘附比的转印印章，其特征在于，所述低官能聚氨酯丙烯酸酯为一官能脂肪族聚氨酯丙烯酸酯、二官能脂肪族聚氨酯丙烯酸酯的至少一种。

3.根据权利要求1所述的一种高粘附比的转印印章，其特征在于，所述聚乙二醇平均分子量为600, 1000, 2000, 4000, 6000, 10000, 20000的至少一种。

4.根据权利要求1所述的一种高粘附比的转印印章，其特征在于，按比例称取一定质量的低官能聚氨酯丙烯酸酯，聚（乙二醇）二丙烯酸酯，（2,4,6-三甲基苯甲酰基）苯基...

【技术特征摘要】

1.一种高粘附比的转印印章，其特征在于，按质量百分比组份包括：

2.根据权利要求1所述的一种高粘附比的转印印章，其特征在于，所述低官能聚氨酯丙烯酸酯为一官能脂肪族聚氨酯丙烯酸酯、二官能脂肪族聚氨酯丙烯酸酯的至少一种。

3.根据权利要求1所述的一种高粘附比的转印印章，其特征在于，所述聚乙二醇平均分子量为600, 1000, 2000, 4000, 6000, 10000, 20000的至少一种。

4.根据权利要求1所述的一种高粘附比的转印印章，其特征在于，按比例称取一定质量的低官能聚氨酯丙烯酸酯，聚（乙二醇）二丙烯酸酯，（2,4,6-三甲基苯甲酰基）苯基次膦酸乙酯于烧杯中，室温搅拌1-2 h，形成树脂混合物；称取一定质量的聚乙二醇于烧杯中，在80℃环境下水浴加热融化成液态, 将树脂混合物与液态聚乙二醇混合，继续搅拌1-2 h，得到均匀的印章前体树脂；在黑暗中抽真空至前体树脂中无气泡后，将树脂于60-80 ℃环境下倒入模具中或直接旋涂在供体衬底上，在紫外...

【专利技术属性】
技术研发人员：段辉高，陈雷，樊夫，周宇，胡跃强，贾红辉，
申请(专利权)人：湖南大学，
类型：发明
国别省市：