【技术实现步骤摘要】
本申请涉及半导体领域，具体而言，涉及一种二极管结构及二极管结构的制备方法。
技术介绍
1、当前，随着微电子器件向低功耗、高耐压、高可靠性方向的发展，对半导体材料的要求也逐渐提高。微电子器件越来越多的应用在高温、高辐照、高频和大功率等特殊环境。为了满足微电子器件在耐高温和抗辐照等领域的应用，需要研发新的半导体材料，从而最大限度地提高微电子器件性能。传统的硅器件和砷化镓器件限制了装置和系统性能的提高。以碳化硅（sic）和氮化镓（gan）为代表的第三代半导体材料，由于材料本身的宽禁带宽度和高临界击穿电场等优点成为制作耐高温、高功率和抗辐照等电子器件的理想的半导体材料。目前研究的sic基器件有高温和功率sic器件、微波和高频sic器件、sic光电器件、抗辐照器件等sic材料的临界击穿场强是si材料的10倍，sic的禁带宽度和热导率均是si材料的3倍，本征载流子的浓度也只有硅材料的十分之一。这些优异的物理特性使sic材料制成的半导体功率器件在高频、高温、大功率及高辐照等环境下有很高的优势。sic在不同的环境下能形成不同的晶体结构，现在常用的有3c...
【技术保护点】
1.一种二极管结构，其特征在于，包括叠层设置的第一外延层和第二外延层，其中，所述第二外延层包括在第一方向上交替设置且掺杂类型不同的第一子外延部和第二子外延部，所述第一方向为平行于所述第一外延层与所述第二外延层接触的表面的方向，所述二极管结构还包括：
2.根据权利要求1所述的二极管结构，其特征在于，所述第一外延层的掺杂浓度大于所述第一子外延部的掺杂浓度。
3.根据权利要求1所述的二极管结构，其特征在于，所述注入区的掺杂浓度大于所述第二子外延部的掺杂浓度。
4.根据权利要求3所述的二极管结构，其特征在于，还包括：
5.根据权...
【技术特征摘要】
1.一种二极管结构，其特征在于，包括叠层设置的第一外延层和第二外延层，其中，所述第二外延层包括在第一方向上交替设置且掺杂类型不同的第一子外延部和第二子外延部，所述第一方向为平行于所述第一外延层与所述第二外延层接触的表面的方向，所述二极管结构还包括：
2.根据权利要求1所述的二极管结构，其特征在于，所述第一外延层的掺杂浓度大于所述第一子外延部的掺杂浓度。
3.根据权利要求1所述的二极管结构，其特征在于，所述注入区的掺杂浓度大于所述第二子外延部的掺杂浓度。
4.根据权利要求3所述的二极管结构，其特征在于，还包括：...
【专利技术属性】
技术研发人员：李理，
申请(专利权)人：珠海格力电子元器件有限公司，
类型：发明
国别省市：
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