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本申请公开了一种二极管结构及二极管结构的制备方法,二极管结构包括叠层设置的第一外延层和第二外延层,其中,第二外延层包括在第一方向上交替设置且掺杂类型不同的第一子外延部和第二子外延部,第一方向为平行于第一外延层与第二外延层接触的表面的方向,二...该专利属于珠海格力电子元器件有限公司所有,仅供学习研究参考,未经过珠海格力电子元器件有限公司授权不得商用。
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本申请公开了一种二极管结构及二极管结构的制备方法,二极管结构包括叠层设置的第一外延层和第二外延层,其中,第二外延层包括在第一方向上交替设置且掺杂类型不同的第一子外延部和第二子外延部,第一方向为平行于第一外延层与第二外延层接触的表面的方向,二...