【技术实现步骤摘要】
本专利技术主要涉及到存储器的，更确切的说，涉及到了在三维闪存中实现信号跨层交互的方法以及相应的半导体存储器。
技术介绍
1、在数据的存储领域，业界为了克服二维存储器件的限制，已经着手研发了具有三维结构特征的存储器元器件，主要设计思路是通过将诸多存储器单元三维地布置在半导体衬底之上以此提高集成密度。三维存储器例如3d-nand是存储晶胞以三维堆叠的方式构造的闪存器件，在3d-nand存储器结构当中，通常包括具有存储功能的堆叠结构和具有相互连通功能的外部电路结构及其它辅助电路。在例如3d-nand闪存的三维存储器件中闪存物理上通常划分为多个区块，每个区块包括一定数量的存储单元。闪存的擦除操作通常都是以区块为基本单元即最小单元的。
2、顾名思义，基于三维存储器之三维闪存堆叠式结构，在不同堆叠层上会产生不同层次的存储区域或存储单元，而不同层次的存储区域或存储单元通常会处于不同的工作状态例如写操作或读取操作或擦除操作等。不同厂商的三维存储器或者相同厂商但针对不同客户定制需求的三维存储器可能会具有不同的区块或单元划分标准。位于不同层次的...
【技术保护点】
1.一种三维闪存中信号跨层交互的方法，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于：
3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于：
4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于：
5.根据权利要求4所述的方法，其特征在于：
6.根据权利要求4所述的方法，其特征在于：
7.根据权利要求4所述的方法，其特征在于：
8.一种存储器，其特征在于，该存储器基于三维闪存并具有众多的堆叠层，在存储器之三维闪存的多堆叠层结构中支持信号跨层交互，该存储器还包括：
9.根据权利要求8...
【技术特征摘要】
1.一种三维闪存中信号跨层交互的方法，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于：
3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于：
4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于：
5.根据权利要求4所述的方法，其特征在于：
6.根据权利要求4所述的方法，其特征...
【专利技术属性】
技术研发人员：孙楠楠，
申请(专利权)人：百代上海数据技术有限公司，
类型：发明
国别省市：
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