半导体装置制造方法及图纸

技术编号:43788610 阅读:17 留言:0更新日期:2024-12-24 16:21
本技术涉及到半导体装置。半导体装置包括第一导电类型的衬底,衬底背面植入的第一导电类型的第一阱区、在衬底正面植入的第二导电类型的第二阱区。第一阱区设有第一导电类型的第一掺杂区和设有第二导电类型的第二掺杂区、第二阱区设有第二导电类型的第三掺杂区。开设在衬底正面的多个沟槽中的每一个在垂直于衬底的方向上与极板交叠。施加于沟槽内导电材料及第二阱区中第三掺杂区的瞬态电压在引导钳位区与联结区间的结点被反向击穿的条件下,由触发导通的并介于第二掺杂区、衬底、第三掺杂区之间的双极晶体管来释放瞬态电压。

【技术实现步骤摘要】

本技术主要涉及到存储管理的,更确切的说,涉及到了在存储硬盘的热插拔期间保护存储硬盘的一种半导体装置


技术介绍

1、网络存储器或存储服务器或云服务站等皆大量使用多盘位,以便在存储扩容或存储缩容的需求中能够便捷的在盘位处热插拔硬盘。在由数十个甚至近百个盘位所组网的服务器中硬盘突然的热插拔,会较大概率的增加硬盘故障率、导致硬盘损坏。热插拔时如果未正确保护硬盘数据端口,还会导致数据在热插拔过程中遭到破坏或删除。

2、针对硬盘的被热插拔的端口这一类对象,热插拔处理事件的瞬间,端口处陡然的电压浪涌或者陡然的电压跌落,很容易伤害端口。热插拔导致端口处电压的瞬变不仅仅会损毁端口以及与端口相连的电子元器件、严重的还会损坏存储颗粒等部件。在热插拔期间丢失的数据往往是近乎不太可能恢复的。这是亟待解决的严峻问题之一。


技术实现思路

1、本申请涉及一种半导体装置,其特征在于,包括:

2、第一导电类型的衬底,在衬底背面植入的第一导电类型的第一阱区、在衬底正面植入的第二导电类型的第二阱区;p>

3、开设在本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种半导体装置,其特征在于,包括:

2.根据权利要求1所述的半导体装置,其特征在于:

3.根据权利要求2所述的半导体装置,其特征在于:

4.根据权利要求2所述的半导体装置,其特征在于:

5.根据权利要求1所述的半导体装置,其特征在于:

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9.根据权利要求1所述的半导体装置,其特征在于:

10.根据权利要求1所述的半导体装置,其特征在...

【技术特征摘要】

1.一种半导体装置,其特征在于,包括:

2.根据权利要求1所述的半导体装置,其特征在于:

3.根据权利要求2所述的半导体装置,其特征在于:

4.根据权利要求2所述的半导体装置,其特征在于:

5.根据权利要求1所述的半导体装置,其特征在于:

...

【专利技术属性】
技术研发人员:于梦蛟孙楠楠
申请(专利权)人:百代上海数据技术有限公司
类型:新型
国别省市:

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