温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。

本技术涉及到半导体装置。半导体装置包括第一导电类型的衬底，衬底背面植入的第一导电类型的第一阱区、在衬底正面植入的第二导电类型的第二阱区。第一阱区设有第一导电类型的第一掺杂区和设有第二导电类型的第二掺杂区、第二阱区设有第二导电类型的第三掺杂区...
该专利属于百代（上海）数据技术有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过百代（上海）数据技术有限公司授权不得商用。

详细技术文档下载地址

温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。