去耦合电容标准单元的插入方法、装置、设备及存储介质制造方法及图纸

本申请提供一种去耦合电容标准单元的插入方法、装置、设备及存储介质，涉及芯片技术领域，方法包括：获取物理设计模块的空白区域，以及获取各去耦合电容标准单元的稳压能力参数和漏电流影响参数；根据空白区域内不同位置的动态压降情况，将空白区域划分为多个子区域；根据各去耦合电容标准单元的稳压能力参数和漏电流影响参数，从各去耦合电容标准单元中筛选出分别与各子区域匹配的多个去耦合电容标准单元集合；采用各子区域匹配的去耦合电容标准单元集合对各子区域进行去耦合电容标准单元插入操作。基于本申请的方案对物理设计模块进行去耦合电容标准单元的插入后，可以使得得到的物理设计模块的设计效果更好。

【技术实现步骤摘要】

本申请涉及芯片，具体而言，涉及一种去耦合电容标准单元的插入方法、装置、设备及存储介质。

技术介绍

1、在物理设计中，在布局布线完成后以及standard-cell filler(填充标准单元)插入前，会在空白区域先插入decap cell(去耦合电容标准单元)。插入的decap cell会加大电源和地之间的去耦合电容，可以优化设计模块的dynamic ir(动态压降)。但是插入的decap cell本身有漏电流，因此插入的decap cell会增加设计模块的漏电流功耗。

2、然而不同的decap cell具有不同的动态压降优化能力(即稳压能力)和漏电流功耗值。因此对于decap cell的选取将影响物理设计模块的优化效果。

3、目前对于decap cell的插入方式是按照decap cell面积从大到小的顺序依次在物理设计模块的空白区域中进行插入，直至无法再插入decap cell为止。但是这种方式空白区域内各位置处插入的decap cell并不具有针对性，导致对于空白区域中dynamic ir较高的区域无法针对性改善dynamic本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种去耦合电容标准单元的插入方法，其特征在于，包括：

2.如权利要求1所述的去耦合电容标准单元的插入方法，其特征在于，所述多个子区域中包括第一子区域；

3.如权利要求2所述的去耦合电容标准单元的插入方法，其特征在于，根据所述空白区域内不同位置的动态压降情况，将所述空白区域划分为多个子区域，还包括：

4.如权利要求3所述的去耦合电容标准单元的插入方法，其特征在于，根据所述空白区域内不同位置的动态压降情况，将所述空白区域中除所述第一子区域外的其他区域，按照预设的第二指标值划分出多个子区域，包括：

5.如权利要求1-4任一项所述的去耦合电容标...

【技术特征摘要】

1.一种去耦合电容标准单元的插入方法，其特征在于，包括：

2.如权利要求1所述的去耦合电容标准单元的插入方法，其特征在于，所述多个子区域中包括第一子区域；

3.如权利要求2所述的去耦合电容标准单元的插入方法，其特征在于，根据所述空白区域内不同位置的动态压降情况，将所述空白区域划分为多个子区域，还包括：

4.如权利要求3所述的去耦合电容标准单元的插入方法，其特征在于，根据所述空白区域内不同位置的动态压降情况，将所述空白区域中除所述第一子区域外的其他区域，按照预设的第二指标值划分出多个子区域，包括：

5.如权利要求1-4任一项所述的去耦合电容标准单元的插入方法，其特征在于，所述稳压能力参数包括单位面积的电容值；所述漏电流影响参数包括单位面积的漏电流功耗值。

6.如权利要求1-4任一项所述的去耦合电容标准单元的插入方法，其特征在于，根据各所述去耦合电容标准单元的稳压能力参数和漏电流影响参数，从各所述去耦合电容标准单元中筛选出分别与各所述子区域匹配的多个去耦合电容标准单元集合，包括：

7.如权利要求6所述的去耦合电容标准单元的插入方法，其特征在于，

8.如权利要求6所述的去耦合电容标准单元的插入方法，其特征在于，根据各所述去耦合电容标准单元的整体稳压能力评价值、组内稳压能力评价值、整体漏电流影响评价值和组内漏电流影响评价值，从各所述去耦合电容标准单元中筛选出分别与各所述子区域匹配的多个去耦合电容标准单元集合，包括：

9.如权利要求8所述的去耦合电容标准单元的插入方法，其特征在于，所述预设组内稳压能力评价值阈...

【专利技术属性】
技术研发人员：王鑫鑫，杜华斌，晋大师，
申请(专利权)人：成都海光集成电路设计有限公司，
类型：发明
国别省市：