温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。

本申请提供一种去耦合电容标准单元的插入方法、装置、设备及存储介质，涉及芯片技术领域，方法包括：获取物理设计模块的空白区域，以及获取各去耦合电容标准单元的稳压能力参数和漏电流影响参数；根据空白区域内不同位置的动态压降情况，将空白区域划分为多个...
该专利属于成都海光集成电路设计有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过成都海光集成电路设计有限公司授权不得商用。

详细技术文档下载地址

温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。