【技术实现步骤摘要】
本技术涉及单晶硅生产，具体涉及水冷屏、单晶硅生产设备及单晶硅生产线。
技术介绍
1、在直拉单晶硅工艺中，通常采用水冷屏吸收单晶炉热场内已拉制出的晶棒的热量，水冷屏放置于内导流筒的内部，通过水冷屏的内表面与晶棒表面进行辐射传热。由于晶棒的温度自下而上逐渐降低，因此水冷屏内部水流道设计通常为：冷却水由水冷屏顶部入口进入后直通到底部，在底部环绕一周后盘旋上升，从而实现从下到上的逐级换热。
2、目前，为了提升水冷屏的换热效率，通常会在水冷屏水道的内壁设置沟槽，通过沟槽形成的微流道为冷却水的流动提供附加驱动力，进而加快冷却水的流动，在此种形式的水道中，冷却水流动时层流底层依旧较厚，由于层流底层的厚度是影响对流传热的主要因素，因此此种形式的水道依然会在对流传热过程中具有较大的阻力，使得水冷屏的换热依旧较低。
技术实现思路
1、有鉴于此，本技术提供了一种水冷屏、单晶硅生产设备及单晶硅生产线，以解决现有水冷屏的换热效率低的问题。
2、第一方面，本技术提供了一种水冷屏，包括：主体，内...
【技术保护点】
1.一种水冷屏，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的水冷屏，其特征在于，所述主体(1)的所述流道(101)由下至上呈螺旋状延伸，所述流道(101)包括靠近所述主体(1)底部的主冷却段，多个所述凸起结构(2)位于所述主冷却段的内壁。
3.根据权利要求1或2所述的水冷屏，其特征在于，多个所述凸起结构(2)沿着所述流道(101)的延伸方向呈多列设置。
4.根据权利要求3所述的水冷屏，其特征在于，相邻的两列所述凸起结构(2)错位设置。
5.根据权利要求1或2所述的水冷屏，其特征在于，所述主体(1)的中部围设形成供晶棒穿设...
【技术特征摘要】
1.一种水冷屏，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的水冷屏，其特征在于，所述主体(1)的所述流道(101)由下至上呈螺旋状延伸，所述流道(101)包括靠近所述主体(1)底部的主冷却段，多个所述凸起结构(2)位于所述主冷却段的内壁。
3.根据权利要求1或2所述的水冷屏，其特征在于，多个所述凸起结构(2)沿着所述流道(101)的延伸方向呈多列设置。
4.根据权利要求3所述的水冷屏，其特征在于，相邻的两列所述凸起结构(2)错位设置。
5.根据权利要求1或2所述的水冷屏，其特征在于，所述主体(1)的中部围设形成供晶棒穿设的通道(102)，所述凸起结构(2)设置于所...
【专利技术属性】
技术研发人员：高智雪，
申请(专利权)人：三一硅能朔州有限公司，
类型：新型
国别省市：
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