本技术涉及光伏设备技术领域，公开了晶托固定装置及光伏设备生产线，晶托固定装置包括：底板，其上端面适于放置晶托；第一固定结构，可纵向移动的设置在底板上；第二固定结构，可横向移动的设置在底板上，本技术在底板上可移动的设置第一固定结构和第二固...

本申请提供一种氧含量检测方法、装置以及硅片，该方法包括：获取硅棒上目标位置对应的边皮料的第一氧含量，所述目标位置表示硅棒的长度方向上的位置；然后根据所述第一氧含量，以及预设的氧含量分布函数，确定所述目标位置处对应硅片上的目标区域的氧含量...

本技术涉及单晶生长设备技术领域，公开了水冷屏及单晶炉，水冷屏包括筒体和冷却水道，筒体设有轴向通孔，筒体具有环绕轴向通孔的内壁和环绕内壁设置的外壁，筒体的内壁与筒体的外壁之间留有间隙，筒体的内壁具有直壁段，直壁段设有若干凹凸结构；冷却水道...

本技术提供了一种筛料装置及单晶硅生产线，其中，筛料装置包括：机架；料斗，设置在机架上，料斗上设置有筛料孔；弹性连接件，弹性连接件的两端分别与机架和料斗连接，以使料斗悬挂在机架上。由于料斗通过弹性连接件悬挂在机架上，在通过料斗进行送料时，...

本申请提供一种硅片切割方法、装置、设备以及系统，该方法包括：在切割线切割至承载板的粘胶面时，控制切割线的线速度由第一线速度降低至第二线速度，和/或，控制切割线的供线量由第一供线量变为第二供线量；所述第一供线量为正值，所述第二供线量为负值...

本发明涉及单晶生长技术领域，公开了单晶用的导气装置、单晶炉及单晶炉降氧控制方法，本发明单晶用的导气装置包括第一导气结构和第二导气结构。第一导气结构具有第一导气通道；第二导气结构具有第二导气通道，第二导气通道的出口和第一导气通道的进口连通...