【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及基于聚焦离子束加工周期性阵列结构增强铌酸锂晶体导电性的方法，属于集成电路领域。
技术介绍
1、铌酸锂(linbo3)晶体以其优异的电光(r33＝30.9pm/v)、声光以及非线性光学(d33＝41.7pm/v)等特质被称作“光学硅”，在光参量振荡器、电光布拉格调制器、回音壁模式微腔、全息存储以及频率转换等领域具有重要的应用。然而，铌酸锂极高的电阻率(约1013ω/cm)，对片上器件的微纳加工、电光调控方面的设计等应用造成了很大的阻碍。由铌酸锂的基本能级结构可知，其最大的导带与价带之间的能隙是8.2ev，最小的导带与价带之间的能隙是3.47ev，远远大于常见的半导体材料。
2、目前解决铌酸锂导电性差的问题，往往会采用掺杂、离子注入、诱导极化等方式，但这些处理对于实验仪器的要求较高、处理周期长、会对铌酸锂晶体本身的结构造成一定的破坏、且会引入新的元素，引起材料光电性质的改变。
3、在微纳加工中，通常采用先曝光，后刻蚀的方法制备特定图案的片上结构。该方法常常通过紫外曝光(uv exposure)或电子束曝...
【技术保护点】
1.基于聚焦离子束加工周期性阵列结构增强铌酸锂晶体导电性的方法，包括步骤如下：
2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，步骤(1)中，晶体为纯铌酸锂晶体或注入金纳米颗粒的铌酸锂晶体。
3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，步骤(1)中，注入金纳米颗粒的铌酸锂晶体为纯铌酸锂晶体采用离子注入的方式注入金离子得到，金离子的入射能量为400keV,剂量为5×1016ions/cm2。
4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，步骤(1)中，清洗为采用丙酮对晶体进行超声清洗，并依次用丙酮、异丙醇、去离子水冲洗。
5.根据权利...
【技术特征摘要】
1.基于聚焦离子束加工周期性阵列结构增强铌酸锂晶体导电性的方法，包括步骤如下：
2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，步骤(1)中，晶体为纯铌酸锂晶体或注入金纳米颗粒的铌酸锂晶体。
3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，步骤(1)中，注入金纳米颗粒的铌酸锂晶体为纯铌酸锂晶体采用离子注入的方式注入金离子得到，金离子的入射能量为400kev,剂量为5×1016ions/cm2。
4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，步骤(1)中，清洗为采用丙酮对晶体进行超声清洗，并依次用丙酮、异丙醇、去离子水冲洗。
5.根据权利要求1所述的方法，其特...
【专利技术属性】
技术研发人员：贾曰辰，王焯群，鲁宁，夏如意，陈峰，
申请(专利权)人：山东大学，
类型：发明
国别省市：
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