一种晶圆级填充保护方法及一种晶圆级封装器件技术

本发明专利技术公开一种晶圆级填充保护方法及一种晶圆级封装器件，该方法在载片上制备载片孔，然后在设置有载片孔的载片上设置键合胶，得到保护工装；使所述保护工装上键合胶的一侧朝向设置有芯片的基片，压合后，从所述载片孔处注入有机填充料；除去所述注入的有机填充料中的气泡，待所述有机填充料固化后，去除所述载片以及键合胶，完成所述晶圆级填充保护。该方法通过载片、键合胶以及载片孔的设置，使其与基片键合，简化了工艺流程，提供了平整的塑封界面，降低了气泡含量，降低了工艺难度和成本，并提高了封装效率。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术属于先进电子封装，涉及一种晶圆级填充保护方法及一种晶圆级封装器件。

技术介绍

1、目前随着摩尔定律发展放缓，先进封装技术成为提升集成密度的一种重要途径，其中硅基或有机中介层(interposer)技术因其可重构大芯片的高集成度特点，成为了业内研发的重点。interposer是一种插入到芯片与封装基板之间的中介层，由于其具有ubump、亚微米或微米级rdl和tsv结构，可实现多颗芯片的高密度互联和扇出，减小了整体封装体积，提高了系统集成的灵活度，被广泛用于hpc、ai、5g等领域的高端产品中。该类封装技术通常采用芯片到晶圆(chiptowafer)的工艺实现多颗芯片与中介层(interposer)的互连，再进行晶圆级填充保护，这一步骤确保芯片之间的连接稳固且免受外界环境的干扰。在完成填充保护后，会对封装结构进行减薄处理，减至指定厚度后露出芯片背面，以便实现进一步的连接和保护。

2、上述的晶圆级填充保护过程需要精确控制填充材料的流动性和固化条件，以确保填充的均匀性和完整性。另外，晶圆级填充保护之后还需要配合激光切片以及晶圆减薄工艺，封装工本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种晶圆级填充保护方法，其特征在于，包括以下步骤：

2.根据权利要求1所述的一种晶圆级填充保护方法，其特征在于，步骤S1中，根据待保护工件的孔隙状态在载片上制备载片孔。

3.根据权利要求1所述的一种晶圆级填充保护方法，其特征在于，步骤S1中，采用激光刻蚀、机械刻蚀、干法刻蚀或湿法刻蚀的方式在载片上制备载片孔。

4.根据权利要求1所述的一种晶圆级填充保护方法，其特征在于，步骤S1中，采用压膜、涂覆、印刷或沉积的方式在设置有载片孔的载片上设置键合胶。

5.根据权利要求1所述的一种晶圆级填充保护方法，其特征在于，步骤S1中，在设置有载片孔的载...

【技术特征摘要】

1.一种晶圆级填充保护方法，其特征在于，包括以下步骤：

2.根据权利要求1所述的一种晶圆级填充保护方法，其特征在于，步骤s1中，根据待保护工件的孔隙状态在载片上制备载片孔。

3.根据权利要求1所述的一种晶圆级填充保护方法，其特征在于，步骤s1中，采用激光刻蚀、机械刻蚀、干法刻蚀或湿法刻蚀的方式在载片上制备载片孔。

4.根据权利要求1所述的一种晶圆级填充保护方法，其特征在于，步骤s1中，采用压膜、涂覆、印刷或沉积的方式在设置有载片孔的载片上设置键合胶。

5.根据权利要求1所述的一种晶圆级填充保护方法，其特征在于，步骤s1中，在设置有载片孔的载片上设置键合胶之前，对所述载片进行清洗活化。

6.根据权利要求1所述的一种晶圆级填充保护方法，其特征在于，步骤s2中，所述压...

【专利技术属性】
技术研发人员：陈雷达，何亨洋，武洋，
申请(专利权)人：珠海天成先进半导体科技有限公司，
类型：发明
国别省市：