除电装置制造方法及图纸

本发明专利技术公开一种除电装置，具有：与被施加的直流高电压的极性对应地产生正或负离子的放电电极２１～２４；从该放电电极离开规定间隔地设置的对向电极６０；对所述放电电极交替地施加正和负的直流高电压的高电压发生机构１０，其中，所述高电压发生机构，缓慢减少对所述放电电极施加的正或负的直流高电压的至少后半侧高电压部。通过本发明专利技术可提供放电电极的污染或腐蚀少且可长时间维持良好的放电性能的除电装置。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种除电装置，特别涉及一种通过对除电对象物照射正负离子而使其 处于电中性的除电装置。
技术介绍
以往，在半导体制造生产线或手机等的单元化生产工序中，为防止由于部件带电 而导致的静电危害或静电吸附，在工作台或输送机等的附近配设除电装置。在这样的制造 现场所使用的除电装置，通过对由于正或负的电荷的全部或部分过剩而处于电荷不均勻状 态的除电对象物(部件)放出(照射)正及负离子，从而使得除电对象物(部件)处于电 中性的结构。但是，这种除电装置存在电极针的污染或腐蚀而导致离子产生能力经时减少 的问题。就上述问题，揭示有专利文献1的除电装置，该除电装置通过在对放电用电极施 加的正的脉冲信号和负的脉冲信号之间设置不施加电压的休止期间，从而减少电极污染或 磨耗。并且，在该除电装置也进行如下操作，即，通过在进入休止期间之前的电极施加与到 此时为止的极性逆极性的短的脉冲信号，从而中和残留在该电极的残留电压。专利文献1 日本特开2003-86393号公报然而，在设置如上所述的休止期间的方式，由于总的离子产生量减少而导致除电 能力减少。并且，在如上所述的在进入休止期间前施加逆极性的短的脉冲信号而急速中和残 留电压的方式，由于电场(离子风)的急速消失而导致对电极附近的残留离子的推出(及， 加到对向电极一侧)力急速消失，导致了在放电部空间容易残留带电粒子或离子。并且，因为在之后未设置足够的休止期间，在对电极施加逆极性的电压时存在电 极吸附残留在该电极附近的逆极性的带电粒子或离子的可能性，这成为导致电极污染或腐 蚀的原因。
技术实现思路
为解决上述问题的不足，本专利技术的目的在于提供一种放电电极的污染或腐蚀少、 且可长期维持良好的放电性能的除电装置。本专利技术第一方面的除电装置，具有与被施加的直流高电压的极性对应地产生正或负离子的放电电极；从该放电电极离开规定间隔地设置的对向电极；对所述放电电极交替地施加正和负的直流高电压的高电压发生机构，其中，所述高电压发生机构，缓慢减少已对所述放电电极施加的正或负的直流高 电压的至少后半侧高电压部。根据上述第一方面，通过缓慢减少已对放电电极施加的正或负的直流高电压的至 少后半侧高电压部，在该期间依次减少新的离子的产生的同时，这些离子通过气流和电场而有效地输送到对向电极一侧。其结果，在施加电压大致为OV的时刻，清除了残留在电极 附近的离子。因此，即使在此后迅速对电极施加逆极性的直流高电压，前一次的残留离子等 也不会被吸引而回到该电极一侧。从而，根据上述第一方面，不会减少总的离子产生量，可 在长时间处于污染或腐蚀环境中时有效保护针电极。并且，本专利技术的第二方面的除电装置，是在前述的除电装置中，通过所述高电压发 生机构缓慢增加对所述放电电极施加的正或负的直流高电压的至少前半侧高电压部的结 构。根据上述第二方面，通过缓慢增加对放电电极施加的正或负的直流高电压的至少 前半侧高电压部，在缓慢推进该电极周围的电场的反转的同时，在该期间的前半部通过气 流清除前一次的离子，在该后半部逐渐增加后一次的离子产生。并且，在后一次(逆极性) 的施加电压达到峰值的时刻，已在前一次产生的残留离子等也不会被吸引而回到电极一 侧。从而，根据上述第二方面，不会减少总的离子产生量，可在长时间处于污染或腐蚀环境 中时有效保护针电极。并且，本专利技术的第三方面的除电装置，是在前述的除电装置中，通过所述高电压发 生机构缓慢增加对所述放电电极施加的正及负的直流高电压的至少前半侧高电压部，并 且，缓慢减少对所述放电电极施加的正及负的直流高电压的至少后半侧高电压部的结构。根据上述第三方面，通过缓慢减少前施加电压且缓慢增加后施加电压，通过该连 接的期间，可在较短时间内效率良好地实现前一次产生的残留离子等的清除、后一次产生 的逆极性离子的缓慢增加。因此，前一次的残留离子等不会吸附到放电电极。从而，根据上 述第三方面，不会减少总的离子产生量，可在长时间处于污染或腐蚀环境中时有效保护针 电极。并且，本专利技术的第四方面的除电装置，是在前述的除电装置中，通过所述高电压发 生机构，阶段性减少已对所述放电电极施加的正或负的直流高电压的至少后半侧高电压部 的结构。根据上述第四方面，通过阶段性减少已对所述放电电极施加的正或负的直流高电 压的至少后半侧高电压部，在该期间阶段性减少新离子的产生的同时，这些离子通过气流 和电场而有效输送到对向电极一侧。其结果，在施加电压大致为OV的时刻清除了残留在电 极附近的离子等。因此，即使在此后迅速对电极施加逆极性的直流高电压，前一次的残留离 子等也不会被吸引而回到该电极一侧。从而，根据上述第四方面，不会减少总的离子产生 量，可在长时间处于污染或腐蚀环境中时有效保护针电极。并且，本专利技术的第五方面的除电装置，在前述的除电装置中，通过所述高电压发生 机构，仅仅缓慢减少已对所述放电电极施加的负的直流高电压的至少后半侧高电压部的结 构。本专利技术的专利技术人，注意到在施加了正的高电压的电极(特别是针尖)的附近存在 (残留)负离子时会加速针尖腐蚀，从而专利技术了可解决这些问题的结构。即，根据上述第 五方面，通过仅仅缓慢减少已对所述放电电极施加的负的直流高电压的至少后半侧高电压 部，使得此后在对该电极施加正的直流高电压的时刻在电极周围已经没有残留的负离子。 从而，根据上述第五方面，不会减少总的离子产生量，可在长时间处于污染或腐蚀环境中时 有效保护针电极。5在这里优选为，在与空气的流动方向正交的面并列设置多个放电电极。通过这种 结构，可对除电对象物照射更多的离子。并且，优选为，邻接的所述放电电极彼此分在两组，对各组的所述放电电极施加相 互逆极性的直流高电压。由此，可良好地保持除电对象物的离子平衡。并且，离子平衡是指 离子照射后的除电对象物的残留电位从OV离开多少的指标。并且，优选为，在从所述放电电极离开规定间隔且与空气的流动方向正交的面设 置具有多个通风孔的对向电极。对向电极兼备稳定化放电电极的离子产生功能、避免人的 手与该放电电极接触的保护功能。如上所述，根据本专利技术可提供不会减少总的离子产生量、减少放电电极的污染或 腐蚀、经时变化少的寿命长的除电装置。附图说明图1是表示本专利技术实施方式的除电装置的概略构成图。图2是表示第一实施方式的高电压施加控制的时序图。图3是表示第二实施方式的高电压施加控制的时序图。图4是表示第三实施方式的高电压施加控制的时序图。图5是表示第四实施方式的高电压施加控制的时序图。图6是表示第五实施方式的高电压施加控制的时序图。图7是表示第六实施方式的高电压施加控制的时序图。在图1 图7中，1、除电装置，10、高电压发生部，20、放电部，30、风扇，60、对向电 极，70、除电对象物。具体实施例方式以下，结合附图对本专利技术的适当的实施方式的除电装置1进行详细说明。如图 1 (A)所示，除电装置1具有，送风用的风扇30、可产生正和负的直流高电压的高电压发生部 10、与被施加直流高电压的极性对应地产生正和负电离子的放电部20、从该放电部的放电 电极离开规定间隔地设置的对向电极60。除电对象物70位于除电装置1的送风下游侧。高电压发生部10，每隔规定时间同时产生极性在正和负之间反转的直流高电压A 和与之逆极性的直流电压B。高电压发生部10，分本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种除电装置，具有：与被施加的直流高电压的极性对应地产生正或负离子的放电电极；从该放电电极离开规定间隔地设置的对向电极；对所述放电电极交替地施加正和负的直流高电压的高电压发生机构，其中，所述高电压发生机构，缓慢减少已对所述放电电极施加的正或负的直流高电压的至少后半侧高电压部。

【技术特征摘要】
JP 2008-12-18 2008-322581一种除电装置，具有与被施加的直流高电压的极性对应地产生正或负离子的放电电极；从该放电电极离开规定间隔地设置的对向电极；对所述放电电极交替地施加正和负的直流高电压的高电压发生机构，其中，所述高电压发生机构，缓慢减少已对所述放电电极施加的正或负的直流高电压的至少后半侧高电压部。2.一种除电装置，具有与被施加的直流高电压的极性对应地产生正或负离子的放电电极； 从该放电电极离开规定间隔地设置的对向电极； 对所述放电电极交替地施加正和负的直流高电压的高电压发生机构， 其中，所述高电压发生机构，缓慢增加对所述放电电极施加的正或负的直流高电压的 至少前半侧高电压部。3.一种除电装置，具有与被施加的直流高电压的极性对应地产生正或负离子的放电电极； 从该放电电极离开规定间隔地设置的对向电极； 对所述放电电极交替地施加正和负的直流高电压的高电压发生机构， 其中，所述高电压发生机构，缓慢增加对所述放电电极施加的正及负的直流高电压的 至少前半侧高电压部，并且，缓慢减少对所述放电电极施加的正及负的直流高电压的至少 后半侧高电压部。4.一种除电装置，具有与被施加的直流高电压的极性对应地产生正或负离子的放电电极； 从该...

【专利技术属性】
技术研发人员：津森友则，杉田直记，
申请(专利权)人：绿安全股份有限公司，
类型：发明
国别省市：JP