【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及半导体加工的，具体涉及了一种用于沉积工艺的上喷嘴结构、一种沉积设备、一种清洁方法，以及一种计算机可读存储介质。
技术介绍
1、在半导体行业领域中，氟化学品及材料由于其性能特殊性，可作为氟溶剂、清洗剂、导热液、刻蚀材料、光敏性材料等，成为本领域的关键材料。对于半导体产业中的沉积设备，也常选用含氟的清洁气体，来对完成沉积反应后的沉积设备进行清洁工作。
2、目前，为了提升沉积设备的机台在提升其清洁效率时，一般会增大通入的清洁气体的气体量。然而，清洁气体中的氟离子具有腐蚀性，并且清洁过程中通常保持高温的清洁环境，这就导致沉积设备中的上喷嘴容易被清洁气体(clean gas)中的高温氟离子损伤，从而导致上喷嘴上表面(背面)粗超度变差。进一步地，上喷嘴上表面的粗糙变差后，还会影响到后续沉积出的薄膜的颗粒度，容易导致薄膜上的颗粒(particle，pa)异常增多。
3、为了解决现有技术中存在的上述问题，本领域亟需一种改进的上喷嘴结构，能够隔绝清洁气体与上喷嘴的上表面接触，从而能够避免沉积设备在清洁过程中，上喷嘴被...
【技术保护点】
1.一种用于沉积工艺的上喷嘴结构，其特征在于，包括：
2.如权利要求1所述的上喷嘴结构，其特征在于，所述导气组件还包括第二组支路通道，所述第二组支路通道的输入端连接所述第一主通道，所述第二组支路通道的输出端位于所述上喷嘴本体的上表面的上端。
3.如权利要求2所述的上喷嘴结构，其特征在于，所述第一组支路通道和/或所述第二组支路通道的管道直径在靠近其对应的输出端的位置逐渐增大。
4.如权利要求2所述的上喷嘴结构，其特征在于，所述第一组支路通道和/或所述第二组支路通道的输入端的位置高于其对应的所述输出端的位置，以使所述第一组支路通道或所述...
【技术特征摘要】
1.一种用于沉积工艺的上喷嘴结构，其特征在于，包括：
2.如权利要求1所述的上喷嘴结构，其特征在于，所述导气组件还包括第二组支路通道，所述第二组支路通道的输入端连接所述第一主通道，所述第二组支路通道的输出端位于所述上喷嘴本体的上表面的上端。
3.如权利要求2所述的上喷嘴结构，其特征在于，所述第一组支路通道和/或所述第二组支路通道的管道直径在靠近其对应的输出端的位置逐渐增大。
4.如权利要求2所述的上喷嘴结构，其特征在于，所述第一组支路通道和/或所述第二组支路通道的输入端的位置高于其对应的所述输出端的位置，以使所述第一组支路通道或所述第二组支路通道内的所述保护气体顺势向下流动。
5.如权利要求2所述的上喷嘴结构，其特征在于，所述第一组支路通道内的多组支路输出端环形均布于所述上喷嘴本体的上表面，和/或所述第二组支路通道内的多组支路输出端环形均布于所述上喷嘴本体的上表面的上端。
【专利技术属性】
技术研发人员：孙鸿智，杨晓楠，
申请(专利权)人：拓荆创益沈阳半导体设备有限公司，
类型：发明
国别省市：
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。