【技术实现步骤摘要】
本申请涉及半导体领域,具体而言,涉及一种沟槽mos器件及沟槽mos器件的制备方法。
技术介绍
1、硅基igbt统治了高压高电流场景,但硅基igbt无法承受高频工况、且功耗较大等,而sic耐高压耐高温的特性,使得其仅用结构更简单的mosfet器件就能覆盖硅基igbt耐压水平,同时规避其高能耗的缺点。碳化硅基mosfet在相同环境下,对比同规格硅基igbt能量损失减少66%,主要来自于开关损耗的大幅减少。在新能源汽车行业,sic可用于驱动和控制电机的逆变器、车载充电器和快速充电桩等。在光伏发电上,目前光伏逆变器龙头企业已采用sic功率器件替代硅器件。
2、sic mosfet在电力电子系统中主要充当电子开关,当mosfet处于截止状态时,漏极和源极之间会有一个反向的漏电流,如果不加二极管反并联,这个漏电流可能会导致电路中其他器件的损坏。另外,当sic mosfet用于交流电路的整流时,由于mosfet只能在正向电压下导通,需要使用一个反并联二极管来提供反向电压下的导通通道,从而实现电流的整流。故通常需要在sic mosfet体外
...【技术保护点】
1.一种沟槽MOS器件,其特征在于,包括衬底以及在所述衬底上设置的漂移层和源区,所述沟槽MOS器件还包括:
2.根据权利要求1所述的沟槽MOS器件,其特征在于,所述半导体材料区域包括掺杂的多晶硅材料,所述多晶硅材料的掺杂浓度为1019/cm3~1020/cm3。
3.根据权利要求1所述的沟槽MOS器件,其特征在于,所述第一厚度为0.03μm~0.08μm,所述第二厚度为0.4μm~0.8μm。
4.根据权利要求1所述的沟槽MOS器件,其特征在于,所述栅介质层还包括第三区域,所述第三区域与所述栅极的底面接触,所述第三区域在第二方向上具
...【技术特征摘要】
1.一种沟槽mos器件,其特征在于,包括衬底以及在所述衬底上设置的漂移层和源区,所述沟槽mos器件还包括:
2.根据权利要求1所述的沟槽mos器件,其特征在于,所述半导体材料区域包括掺杂的多晶硅材料,所述多晶硅材料的掺杂浓度为1019/cm3~1020/cm3。
3.根据权利要求1所述的沟槽mos器件,其特征在于,所述第一厚度为0.03μm~0.08μm,所述第二厚度为0.4μm~0.8μm。
4.根据权利要求1所述的沟槽mos器件,其特征在于,所述栅介质层还包括第三区域,所述第三区域与所述栅极的底面接触,所述第三区域在第二方向上具有的第三厚度,所述第三厚度为...
【专利技术属性】
技术研发人员:李辉斌,李理,陈铭杰,钟泳生,周天彪,陈慧,
申请(专利权)人:珠海格力电子元器件有限公司,
类型:发明
国别省市:
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