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本申请公开了一种沟槽MOS器件及沟槽MOS器件的制备方法，沟槽MOS器件包括贯穿源区并延伸至漂移层中的栅沟槽结构，栅沟槽结构包括栅介质层和栅极，栅介质层包括第一区域和第二区域，第一区域与第二区域分别在第一方向上具有第一厚度和第二厚度，第二厚...
该专利属于珠海格力电子元器件有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过珠海格力电子元器件有限公司授权不得商用。

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