功率半导体器件结构及其制备方法技术

本申请涉及一种功率半导体器件结构及其制备方法。该结构包括：衬底，其中，衬底被划分为元胞区和终端区，终端区位于元胞区的外围；主结结构，位于衬底的第一侧且位于元胞区内；多个场环结构，位于衬底的第一侧且位于终端区内，多个场环结构包括多个场限环和至少一个截止环。至少一个截止沟槽，位于衬底的第一侧、且在第一方向上位于相邻的场限环和截止环之间，截止沟槽内填充有电极材料。通过设计截止沟槽，且截止沟槽内填充有电极材料，截止沟槽结构能够等同于一个电极，实现电场的截止，因此可以缩短最外围的一个场限环和截止环之间的距离，进而有利于终端区的面积的缩小，便于实现功率半导体器件的小型化、集成化设计。

【技术实现步骤摘要】

本申请涉及半导体，特别是涉及一种功率半导体器件结构及其制备方法。

技术介绍

1、随着电力电子技术的发展，出现了功率半导体器件，功率半导体器件作为电子电力技术的核心和基础器件之一，在能源、制造、交通运输、消费电子等领域发挥至关重要的作用。功率半导体器件几乎用于所有的电子制造业 ,包括计算机领域的笔记本、台式机、服务器、显示器以及各种外设;网络通信领域的手机、电话以及其它各种终端和局端设备等等。一些功率半导体器件例如绝缘栅双极型晶体管（insulated gate bipolartransistor，igbt）常用于高电压的应用场景，因此需要满足一定的电压等级和可靠性。igbt的元胞的柱面结或平面结的曲率不足，电场集中而带来高电场，容易发生电击穿。

2、因此现有技术中，igbt器件往往在芯片外围增加一圈终端设计，用来提高器件耐压，目前比较常见的终端设计为场限环设计，设置多个独立的场限环，在耐压时能够使pn结耗尽区连成一片，主结电场增加会得到控制，使电压分配在更长的距离内，从而改善了器件的耐压不足。

3、然而，现有技术的方式，场限环的设计本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种功率半导体器件结构，其特征在于，包括：

2.根据权利要求1所述的功率半导体器件结构，其特征在于，所述电极材料包括金属、多晶硅材料中的一种。

3.根据权利要求1所述的功率半导体器件结构，其特征在于，所述衬底包括：

4.根据权利要求3所述的功率半导体器件结构，其特征在于，所述主结结构包括：主结沟槽，所述主结沟槽的底部伸入所述漂移层内，所述主结沟槽内填充有第一导电类型的主结材料。

5.根据权利要求4所述的功率半导体器件结构，其特征在于，所述场限环包括：场限环沟槽，所述场限环沟槽的底部伸入所述漂移层内；所述场限环沟槽内填充有场限环多晶层，其...

【技术特征摘要】

1.一种功率半导体器件结构，其特征在于，包括：

2.根据权利要求1所述的功率半导体器件结构，其特征在于，所述电极材料包括金属、多晶硅材料中的一种。

3.根据权利要求1所述的功率半导体器件结构，其特征在于，所述衬底包括：

4.根据权利要求3所述的功率半导体器件结构，其特征在于，所述主结结构包括：主结沟槽，所述主结沟槽的底部伸入所述漂移层内，所述主结沟槽内填充有第一导电类型的主结材料。

5.根据权利要求4所述的功率半导体器件结构，其特征在于，所述场限环包括：场限环沟槽，所述场限环沟槽的底部伸入所述漂移层内；所述场限环沟槽内填充有场限环多晶层，其中，所述场限环多晶层的导电类型为第一导电类型；

6.根据权利要求1-5任一项所述的功率半导体器件结构，其特征在于，所述功率半导体器件结构还包括：介质层，位于所述主结结构、所述场环结构远离所述衬...

【专利技术属性】
技术研发人员：张涛，李娜，
申请(专利权)人：格兰菲智能科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：