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本申请涉及一种功率半导体器件结构及其制备方法。该结构包括：衬底，其中，衬底被划分为元胞区和终端区，终端区位于元胞区的外围；主结结构，位于衬底的第一侧且位于元胞区内；多个场环结构，位于衬底的第一侧且位于终端区内，多个场环结构包括多个场限环和至...
该专利属于格兰菲智能科技股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过格兰菲智能科技股份有限公司授权不得商用。

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