一种白光有机电致发光器件的制备方法技术

本发明专利技术公开了一种白光有机电致发光器件的制备方法，（１）采用磁控溅射的方法在洁净的导电基板上制备厚度为０．１－３０ｎｍ的硫化锌薄膜；（２）在硫化锌薄膜上制备ＮＰＢ空穴传输层；（３）采用真空蒸镀的方法在ＮＰＢ空穴传输层上制备发光层；（４）在发光层上制备电子传输层；（５）在电子传输层上制备ＬｉＦ／Ａｌ混合阴极；（６）采用封装基板对ＬｉＦ／Ａｌ混合阴极进行整体封装，完成器件制备。采用本发明专利技术制备的白光有机电致发光器件具有工艺简单、易控，制造成本低，亮度高及发光效率高，长寿命的特点。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术属于平板显示/照明
，涉及。
技术介绍
有机电致发光器件是指在电场驱动下，电子、空穴分别由器件的阴极、阳极注入到器件中，电子、空穴在器件的发光层内或界面处相遇复合通过发光的方式辐射能量。有机电致发光器件目前的主要应用领域为平板显示领域及平面照明领域。 为了简化有机电致发光器件的制造工艺、降低有机电致发光器件的制造成本、提高有机电致发光器件的良品率，目前采用白光加彩色滤光膜的技术来实现全彩色有机电致发光显示(简称0LED)成为当前OLED显示器件研究的重要技术方向之一。白光有机电致发光器件是该技术制备全彩色0LED显示器件的关键，白光有机电致发光器件的亮度、发光效率、色纯度、寿命等技术指标直接影响全彩色OLED显示器件的品质。此外，具有良好平面照明特性的白光有机电致发光器件受到了国内外的高度重视。由此，制备具有高亮度、高发光效率、长寿命的白光有机电致发光器件为目前的重点研究内容。
技术实现思路
本专利技术提出，采用该方法制备的白光有机电致发光器件可用来制备白光+彩色滤光膜(CF)型OLED全彩平板显示器件或平面照明光源。本专利技术的白光有机电致发光器件的制备方法是， (1)采用磁控溅射的方法在洁净的导电基板上制备厚度为0. l-30nm的硫化锌薄膜； (2)在硫化锌薄膜上采用真空蒸镀的方法蒸镀NPB，制备NPB空穴传输层，NPB沉积速率为0. 1-1. 5nm/s，NPB空穴传输层厚度为10_50nm ;所述NPB为N， N'-双(l-萘基)-N，N' -二苯基-l，l' -二苯基_4，4' -二胺； (3)采用真空蒸镀的方法在NPB空穴传输层上蒸镀NPB、红荧烯和8_羟基喹啉铝，制备厚度为3-15nm的发光层，其中红荧烯占NPB的质量百分含量为0. 5_1. 5%，8_羟基喹啉铝占NPB的质量百分含量为0. 5-1. 5% ; (4)在发光层上采用真空蒸镀的方法蒸镀8-羟基喹啉铝制备电子传输层，8-羟基喹啉铝的沉积速率为0. 1-1. 5nm/s，电子传输层厚度为5-20nm ; (5)在电子传输层上，采用真空蒸镀的方法蒸镀阴极材料LiF和Al，制备LiF/Al混合阴极；所述阴极材料的沉积速率为0. 1-10. Onm/s，阴极材料LiF的厚度为0. l-5nm，阴极材料Al的厚度为50-300nm ; (6)采用封装基板对LiF/Al混合阴极进行整体封装，完成器件制备。所述步骤(1)中硫化锌薄膜厚度为O. lnm、0. 5nm、1. 5nm、10nm、15nm、20nm或30nm。所述步骤(2)中NPB沉积速率为0. lnm/s、0. 5nm/s、1. Onm/s或1. 5nm/s，NPB空穴传输层厚度为10nm、20nm、30nm、40nm或50nm。 采用本专利技术制备的白光有机电致发光器件具有工艺简单、易控，制造成本低，亮度 高及发光效率高，长寿命的特点。具体实施例方式 实施例1 —种白光有机电致发光器件的制备方法， (1)采用磁控溅射的方法在洁净的导电基板上制备厚度为0. lnm的硫化锌薄膜； (2)在硫化锌薄膜上采用真空蒸镀的方法蒸镀NPB，制备NPB空穴传输层，NPB沉 积速率为1. 5nm/s， NPB空穴传输层厚度为10_50nm ;所述NPB为N， N'-双(1-萘基)-N， N' -二苯基-l，l' -二苯基-4，4' -二胺； (3)采用真空蒸镀的方法在NPB空穴传输层上蒸镀NPB、红荧烯和8_羟基喹啉铝， 制备发光层，厚度为3nm，其中红荧烯占NPB的质量百分含量为0. 5%，8_羟基喹啉铝占NPB 的质量百分含量为0.5% ; (4)在发光层上采用真空蒸镀的方法蒸镀8-羟基喹啉铝制备电子传输层，8-羟基 喹啉铝的沉积速率为0. lnm/s，电子传输层厚度为5nm ; (5)在电子传输层上，采用真空蒸镀的方法蒸镀阴极材料LiF和Al，制备LiF/Al 混合阴极；所述阴极材料的沉积速率为0. lnm/s，阴极材料LiF的厚度为0. lnm，阴极材料 Al的厚度为50nm ; (6)采用封装基板对LiF/Al混合阴极进行整体封装，完成器件制备。 实施例2 —种白光有机电致发光器件的制备方法， (1)采用磁控溅射的方法在洁净的导电基板上制备厚度为30nm的硫化锌薄膜； (2)在硫化锌薄膜上采用真空蒸镀的方法蒸镀NPB，制备NPB空穴传输层，NPB沉积 速率为1. 5nm/s， NPB空穴传输层厚度为50nm ;所述NPB为N， N'-双(1-萘基)-N， N' - 二 苯基-l，l'-二苯基-4，4'-二胺； (3)采用真空蒸镀的方法在NPB空穴传输层上蒸镀NPB、红荧烯和8_羟基喹啉铝， 制备发光层，厚度为15nm，其中红荧烯占NPB的质量百分含量为0. 5_1. 5%，8_羟基喹啉铝 占NPB的质量百分含量为1. 5% ; (4)在发光层上采用真空蒸镀的方法蒸镀8-羟基喹啉铝制备电子传输层，8-羟基 喹啉铝的沉积速率为1. 5nm/s，电子传输层厚度为20nm ; (5)在电子传输层上，采用真空蒸镀的方法蒸镀阴极材料LiF和Al，制备LiF/Al 混合阴极；所述阴极材料的沉积速率为10. Onm/s，阴极材料LiF的厚度为5nm，阴极材料Al 的厚度为300nm ; (6)采用封装基板对LiF/Al混合阴极进行整体封装，完成器件制备。 实施例3 —种白光有机电致发光器件的制备方法， (1)采用磁控溅射的方法在洁净的导电基板上制备厚度为10nm的硫化锌薄膜； (2)在硫化锌薄膜上采用真空蒸镀的方法蒸镀NPB，制备NPB空穴传输层，NPB沉积速率为lnm/s， NPB空穴传输层厚度为20nm ;所述NPB为N， N'-双(1-萘基)_N， N' - 二 苯基-l，l'-二苯基-4，4'-二胺； (3)采用真空蒸镀的方法在NPB空穴传输层上蒸镀NPB、红荧烯和8_羟基喹啉铝， 制备发光层，厚度为lOnm，其中红荧烯占NPB的质量百分含量为0. 5_1. 5%，8_羟基喹啉铝 占NPB的质量百分含量为1% ; (4)在发光层上采用真空蒸镀的方法蒸镀8-羟基喹啉铝制备电子传输层，8-羟基 喹啉铝的沉积速率为lnm/s，电子传输层厚度为15nm ; (5)在电子传输层上，采用真空蒸镀的方法蒸镀阴极材料LiF和Al，制备LiF/Al 混合阴极；所述阴极材料的沉积速率为5nm/s，阴极材料LiF的厚度为2. 5nm，阴极材料Al 的厚度为100nm ; (6)采用封装基板对LiF/Al混合阴极进行整体封装，完成器件制备。 以上内容是结合具体的优选实施方式对本专利技术所作的进一步详细说明，不能认定本专利技术的具体实施方式仅限于此，对于本专利技术所属
的普通技术人员来说，在不脱 离本专利技术构思的前提下，还可以做出若干简单的推演或替换，都应当视为属于本专利技术由所提交的权利要求书确定专利保护范围。本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种白光有机电致发光器件的制备方法，其特征在于：（１）采用磁控溅射的方法在洁净的导电基板上制备厚度为０．１－３０ｎｍ的硫化锌薄膜；（２）在硫化锌薄膜上采用真空蒸镀的方法蒸镀ＮＰＢ，制备ＮＰＢ空穴传输层，ＮＰＢ沉积速率为０．１－１．５ｎｍ／ｓ，ＮＰＢ空穴传输层厚度为１０－５０ｎｍ；所述ＮＰＢ为Ｎ，Ｎ’－双（１－萘基）－Ｎ，Ｎ’－二苯基－１，１’－二苯基－４，４’－二胺；（３）采用真空蒸镀的方法在ＮＰＢ空穴传输层上蒸镀ＮＰＢ、红荧烯和８－羟基喹啉铝，制备厚度为３－１５ｎｍ的发光层，其中红荧烯占ＮＰＢ的质量百分含量为０．５－１．５％，８－羟基喹啉铝占ＮＰＢ的质量百分含量为０．５－１．５％；（４）在发光层上采用真空蒸镀的方法蒸镀８－羟基喹啉铝制备电子传输层，８－羟基喹啉铝的沉积速率为０．１－１．５ｎｍ／ｓ，电子传输层厚度为５－２０ｎｍ；（５）在电子传输层上，采用真空蒸镀的方法蒸镀阴极材料ＬｉＦ和Ａｌ，制备ＬｉＦ／Ａｌ混合阴极；所述阴极材料的沉积速率为０．１－１０．０ｎｍ／ｓ，阴极材料ＬｉＦ的厚度为０．１－５ｎｍ，阴极材料Ａｌ的厚度为５０－３００ｎｍ；（６）采用封装基板对ＬｉＦ／Ａｌ混合阴极进行整体封装，完成器件制备。...

【技术特征摘要】
一种白光有机电致发光器件的制备方法，其特征在于(1)采用磁控溅射的方法在洁净的导电基板上制备厚度为0.1-30nm的硫化锌薄膜；(2)在硫化锌薄膜上采用真空蒸镀的方法蒸镀NPB，制备NPB空穴传输层，NPB沉积速率为0.1-1.5nm/s，NPB空穴传输层厚度为10-50nm；所述NPB为N，N’-双(1-萘基)-N，N’-二苯基-1，1’-二苯基-4，4’-二胺；(3)采用真空蒸镀的方法在NPB空穴传输层上蒸镀NPB、红荧烯和8-羟基喹啉铝，制备厚度为3-15nm的发光层，其中红荧烯占NPB的质量百分含量为0.5-1.5％，8-羟基喹啉铝占NPB的质量百分含量为0.5-1.5％；(4)在发光层上采用真空蒸镀的方法蒸镀8-羟基喹啉铝制备电子传输层，8-羟基喹啉铝的沉积速率为0.1-1.5nm/s，电子传输层厚度为5-20n...

【专利技术属性】
技术研发人员：张志刚，陶淳，
申请(专利权)人：彩虹集团公司，
类型：发明
国别省市：61[中国|陕西]