在形成半导体装置后形成衬底穿孔(TSV)及金属化层的方法制造方法及图纸

本发明专利技术涉及在形成半导体装置后形成衬底穿孔(TSV)及金属化层的方法，所揭示的一种示例方法包括：除其它以外，在半导体衬底上方形成半导体装置，形成至该半导体装置的装置层级接触，以及在形成该装置层级接触以后，执行至少一个共同制程操作，以形成位于该衬底中的沟槽中的衬底穿孔(TSV)、与该TSV导电耦接的TSV接触结构，以及与该装置层级接触导电耦接的导电金属化元件。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术通常涉及集成电路的制造，尤其涉及在形成半导体装置以后形成衬底穿孔(through-substrate-via；tsv)及金属化层的各种方法。

技术介绍

1、在例如微处理器、储存装置等当前的集成电路中，在有限的芯片面积上设置并运行有大量的电路元件，尤其是场效应晶体管(field effect transistor；fet)。fet具有各种不同的配置，例如平面晶体管装置、finfet晶体管装置、纳米线晶体管装置等。这些fet装置通常以开关模式运行，也就是说，这些装置呈现高导通状态(开状态；on-state)和高阻抗状态(关状态；off-state)。场效应晶体管的状态由栅极电极控制，在施加适当的控制电压后，该栅极电极控制在漏区极与源极区之间所形成的通道区的电导率。除晶体管(其为主动电路元件或半导体装置的例子)以外，集成电路产品还包括被动电路元件，例如电阻器、电容器等。

2、为使这些电路元件充当总体电路的部分，必须建立与该些电路元件的电性连接。就晶体管而言，这通常包括建立与栅极结构以及与各源极/漏极区的电性连接。通常，由于当前集成电路的大量本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种制造集成电路的方法，该方法包括：

2.如权利要求1所述的方法，其中，该半导体装置是主动半导体装置或被动半导体装置的其中之一。

3.如权利要求1所述的方法，其中，该半导体装置为晶体管，该装置层级接触包括用以建立至该晶体管的源极/漏极区的电性接触的CA源极/漏极接触、或用以建立至该晶体管的栅极电极的电性接触的CB栅极接触，以及其中，该导电金属化元件为导线或导电过孔的其中之一。

4.如权利要求1所述的方法，其中，执行该至少一个共同制程操作包括执行至少一个第一共同沉积制程，以同时针对该TSV、该TSV接触结构、及该导电金属化元件形成至少一种导电材料，该...

【技术特征摘要】

1.一种制造集成电路的方法，该方法包括：

2.如权利要求1所述的方法，其中，该半导体装置是主动半导体装置或被动半导体装置的其中之一。

3.如权利要求1所述的方法，其中，该半导体装置为晶体管，该装置层级接触包括用以建立至该晶体管的源极/漏极区的电性接触的ca源极/漏极接触、或用以建立至该晶体管的栅极电极的电性接触的cb栅极接触，以及其中，该导电金属化元件为导线或导电过孔的其中之一。

4.如权利要求1所述的方法，其中，执行该至少一个共同制程操作包括执行至少一个第一共同沉积制程，以同时针对该tsv、该tsv接触结构、及该导电金属化元件形成至少一种导电材料，该方法还包括接着执行至少一个第二共同制程操作，以移除在该第一共同沉积制程期间所形成的该至少一种导电材料的一部分，其中，该至少一个第二共同制程操作包括执行至少一个cmp制程操作。

5.如权利要求1所述的方法，其中，执行该至少一个共同制程操作包括在针对该tsv接触结构及针对该导电金属化元件所形成的至少一种导电材料上执行至少一个cmp制程操作。

6.如权利要求1所述的方法，其中，该tsv、该tsv接触结构及该导电金属化元件分别由相同的至少一种导电材料组成。

7.如权利要求6所述的方法，其中，该相同的至少一种导电材料包括金属、金属合金、铜、钨、钴、铝、钌、钽及铑的至少其中一种。

8.如权利要求1所述的方法，其中，该tsv接触结构与该导电金属化元件间隔开并分开。

9.一种制造集成电路的方法，该方法包括：

10.如权利要求9所述的方法，其中，执行该至少一个共同制程操作包括执行至少一个第一共同沉积制程，以针对该tsv沟槽中的该tsv、该tsv接触开口中的该tsv接触结构、及该金属化接触开口中的该导电金属化元件形成至少一种导电材料，该方法还包括接着执行至少一个第二共同制程操作，以移除在该第一共同沉积制程期间所形成的该至少一种导电材料的一部分，其中，该至少一个第二共同制程操作包括执行至少一个cmp制程操作。

11.如权利要求9所述的方法，其中，执行该至少一个共同制程操作包括在针对该tsv接触结构及针对该导电金属化元件所形成的至少一种导电材料上执行至少一个cmp制程操作。

12.如权利要求9所述的方法，其中，在执行该至少一个第二蚀刻制程之前执行该至少一个第一蚀刻制程。

13.如权利要求9所述的方法，其中，在执行该至少一个第一蚀刻制程之前执行该至少一个第二蚀刻制程。

14.如权利要求9所述的方法，其中，在执行该至少一个第二蚀刻制程之前执行该至少一个第一蚀刻制程，以及其中，该方法还包括：

15.如权利要求9所述的方法，其中，在执行该至少一个第二蚀刻制程之前执行该至少一个第一蚀刻制程，以及其中，该方法还包括：

16.如权利要求9所述的方法，其中，在执行该至少一个第一蚀刻制程之前执行该至少一个第二蚀刻制程，以及其中，该方法还包括：

17.如权利要求9所述的方法，其中，在执行该至少一个第一蚀刻制程之前执行该至少一个第二蚀刻制程，以及其中，该方法还包括：

18.如权利要求9所述的方法，其中，在执行该至少一个第二蚀刻制程之前执行该至少一个第一蚀刻制程，以及其中，该方法还包括：

19.如权利要求18所述的方法，其中，该至少一种第一导电材料及该至少一种第二导电材料包括相同的材料。

20.如权利要求9所述的方法，其中，该tsv接...

【专利技术属性】
技术研发人员：H·S·卡米内尼，V·K·卡米内尼，D·史密斯，M·利皮特，
申请(专利权)人：格芯美国集成电路科技有限公司，
类型：发明
国别省市：