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本发明涉及在形成半导体装置后形成衬底穿孔(TSV)及金属化层的方法，所揭示的一种示例方法包括：除其它以外，在半导体衬底上方形成半导体装置，形成至该半导体装置的装置层级接触，以及在形成该装置层级接触以后，执行至少一个共同制程操作，以形成位于该...
该专利属于格芯（美国）集成电路科技有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过格芯（美国）集成电路科技有限公司授权不得商用。

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