半导体结构及其刻蚀方法、电子设备技术

本申请涉及一种半导体结构及其刻蚀方法、电子设备，包括：提供基底，所述基底包括衬底以及位于所述衬底上的阻挡层，且所述基底内具有由所述阻挡层延伸至所述衬底的沟槽；对所述沟槽暴露的所述衬底表面进行微刻蚀，以改变所述衬底表面的粗糙度；基于所述阻挡层，采用SC1溶液继续刻蚀所述衬底。由于先对沟槽暴露的衬底表面进行微刻蚀，在衬底表面形成了非常微小的凹凸结构，增加了衬底表面的粗糙度，增大了之后采用SC1溶液继续刻蚀该衬底表面时，SC1溶液与衬底表面的接触面积增大，从而加快了SC1溶液的刻蚀速率。

【技术实现步骤摘要】

本申请涉及集成电路，特别是涉及一种半导体结构及其刻蚀方法、电子设备。

技术介绍

1、在半导体的工艺制程中，通常需要对晶圆进行定向刻蚀形成特定结构。采用传统的湿法刻蚀工艺进行定向刻蚀时，刻蚀速率缓慢。

技术实现思路

1、基于此，有必要提供一种能够提高刻蚀速率的半导体结构及其刻蚀方法、电子设备。。

2、为了实现上述目的，一方面，本申请提供了一种半导体结构的刻蚀方法，包括：

3、提供基底，所述基底包括衬底以及位于所述衬底上的阻挡层，且所述基底内具有由所述阻挡层延伸至所述衬底的沟槽；

4、对所述沟槽暴露的所述衬底表面进行微刻蚀，以改变所述衬底表面的粗糙度；

5、基于所述阻挡层，采用sc1溶液继续刻蚀所述衬底。

6、在其中一个实施例中，所述对所述沟槽暴露的所述衬底表面进行微刻蚀，包括：

7、采用预设溶液对所述沟槽暴露的所述衬底表面进行微刻蚀。

8、在其中一个实施例中，所述预设溶液包括磷酸溶液。

9、在其中一个实施例中，所述s本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种半导体结构的刻蚀方法，其特征在于，包括：

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述对所述沟槽暴露的所述衬底表面进行微刻蚀，包括：

3.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，所述预设溶液包括磷酸溶液。

4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述SC1溶液包括一水合氨、过氧化氢和去离子水的混合溶液，所述SC1溶液中一水合氨的体积比例是过氧化氢的体积比例的2倍以上。

5.根据权利要求4所述的方法，其特征在于，所述SC1溶液中一水合氨的质量分数为29%，所述过氧化氢的质量分数为30%。

6.根据权利要求1所述的方法，其...

【技术特征摘要】

1.一种半导体结构的刻蚀方法，其特征在于，包括：

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述对所述沟槽暴露的所述衬底表面进行微刻蚀，包括：

3.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，所述预设溶液包括磷酸溶液。

4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述sc1溶液包括一水合氨、过氧化氢和去离子水的混合溶液，所述sc1溶液中一水合氨的体积比例是过氧化氢的体积比例的2倍以上。

5.根据权利要求4所述的方法，其特征在于，所述sc1溶液中一水合氨的...

【专利技术属性】
技术研发人员：赖锦平，刘纵曙，
申请(专利权)人：上海积塔半导体有限公司，
类型：发明
国别省市：