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本申请涉及一种半导体结构及其刻蚀方法、电子设备，包括：提供基底，所述基底包括衬底以及位于所述衬底上的阻挡层，且所述基底内具有由所述阻挡层延伸至所述衬底的沟槽；对所述沟槽暴露的所述衬底表面进行微刻蚀，以改变所述衬底表面的粗糙度；基于所述阻挡层...
该专利属于上海积塔半导体有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过上海积塔半导体有限公司授权不得商用。

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