一种高压快恢复二极管结构及其制作方法技术

本发明专利技术公开了一种高压快恢复二极管结构及其制作方法，在半导体硅片N++衬底层上为低掺杂浓度的N‑外延层，所述N‑外延层上为高浓度的P+源区以及场限环和高浓度的N+截止环，在所述N‑外延层，所述P+源区，所述场限环和所述N+截止环之上是氧化层，在所述氧化层上设置对应于场限环的递增渐变式薄层浮空多晶场板，同时形成了平坦终端区域，在所述P+源区上设置正面金属，在所述正面金属，所述多晶场板，所述氧化层和所述N+截止环上设置三层钝化层，依次为UDO钝化层、氮化硅钝化层与聚酰亚胺胶钝化层。本发明专利技术提升了1000V以上高压快恢复二极管使用可靠性，保证产品在工规、车规要求下能够稳定可靠性工作，以应对工况严苛的应用市场。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及半导体制造领域，尤其涉及一种高压快恢复二极管结构及其制作方法。

技术介绍

1、快恢复二极管因具有低反向漏电、极短反向恢复时间特点被广泛用在多种高频电路中作为整流、续流器件使用；国内外多厂家都在设计、制造快恢复二极管晶圆；不过高电压(≥1000v)产品国外厂家处于垄断地位，如德国英飞凌、美国安森美、日本瑞萨等，他们产品在工规、车规市场被大量应用。国内低电压产品在消费电子市场已经逐渐取代了进口品牌，但高电压产品还与国外大厂有较大差距，主要体现在高电压产品在电性与环境综合性可靠性项目(h3trb、hast等)上失效率高，无法满足工规、车规要求，产品不适用工况环境相对恶劣的领域。究其根源，主要是国内高电压快恢复产品终端结构设计不理想，导致终端pn结承受高场强而出现一定概率失效，另外，钝化层结构过于简单且终端区域不平坦，导致局部区域钝化效果很差，无法有效保护芯片阻挡不了外部环境对芯片性能影响。

技术实现思路

1、本专利技术的目的在于提供一种高压快恢复二极管结构及其制作方法，以解决上述背景技术中提出的问题。本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种高压快恢复二极管结构，其特征在于，在半导体硅片N++衬底层上为低掺杂浓度的N-外延层，所述N-外延层上为高浓度的P+源区以及场限环和高浓度的N+截止环，在所述N-外延层，所述P+源区，所述场限环和所述N+截止环之上是氧化层，在所述氧化层上设置对应于场限环的递增渐变式薄层浮空多晶场板，同时形成了平坦终端区域，在所述P+源区上设置正面金属，在所述正面金属，所述多晶场板，所述氧化层和所述N+截止环上设置三层钝化层，依次为UDO钝化层、氮化硅钝化层与聚酰亚胺胶钝化层。

2.根据权利要求1所述的一种高压快恢复二极管结构，其特征在于，所述递增渐变式薄层浮空多晶场板为依次增大多晶场...

【技术特征摘要】

1.一种高压快恢复二极管结构，其特征在于，在半导体硅片n++衬底层上为低掺杂浓度的n-外延层，所述n-外延层上为高浓度的p+源区以及场限环和高浓度的n+截止环，在所述n-外延层，所述p+源区，所述场限环和所述n+截止环之上是氧化层，在所述氧化层上设置对应于场限环的递增渐变式薄层浮空多晶场板，同时形成了平坦终端区域，在所述p+源区上设置正面金属，在所述正面金属，所述多晶场板，所述氧化层和所述n+截止环上设置三层钝化层，依次为udo钝化层、氮化硅钝化层与聚酰亚胺胶钝化层。

2.根据权...

【专利技术属性】
技术研发人员：朱瑞，邱健繁，许柏松，徐林海，殷铭标，
申请(专利权)人：江苏新顺微电子股份有限公司，
类型：发明
国别省市：