一种LED芯片及其制作方法技术

一种LED芯片及其制作方法，LED芯片具有位于衬底一侧表面的外延结构，外延结构至少包括沿第一方向依次层叠的第一型半导体层、有源层和第二型半导体层；第一方向垂直于衬底并由衬底指向外延结构；在所述第二型半导体层背离所述有源层的一侧表面依次层叠的第一透明导电层、第二透明导电层；其中，所述第二透明导电层具有图形化表面。由于设置了双层透明导电层，可以通过调整第一透明导电层和第二透明导电层的生长工艺，使得第一透明导电层具有良好的欧姆接触，第二透明导电层具有较高的透过率。并且，在第二透明导电层上具有图像化表面，可以提高光提取效率。一种LED芯片的制作方法用于制作上述LED芯片。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及发光二极管，更为具体地说，涉及一种led芯片及其制作方法。

技术介绍

1、led芯片因其有着节能、环保、寿命长、体积小等优点在电子通讯、固态照明等领域得到了广泛应用。但led芯片的发光效率仍然受到内部量子效率(iqe)和光提取效率(lee)的影响。因此，提高led芯片的iqe和lee是提高芯片性能的关键所在。特别是，由于led芯片半导体材料和空气之间的折射率差异很大，只能提取一小部分的光，因此led芯片的lee仍然有限。

2、并且，对于传统的led结构，led电极下方电流分布不均匀，随着电流的增加，电极周围的电流拥挤加剧，导致有源区使用不足，使得led芯片的光提取效率较低。目前采用的手段是在p-gan层上蒸镀一层透明导电层，但单一的透明导电层存在欧姆接触差和透过率低的问题，难以提高led芯片的光提取效率。为克服现有技术的上述缺陷，本专利技术人专门设计了一种提高光提取效率的led芯片及其制作方法，本案由此而生。

技术实现思路

1、有鉴于此，本专利技术提供一种能够提高led芯片光提取效率本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种LED芯片，其特征在于，包括：

2.如权利要求1所述的一种LED芯片，其特征在于，所述第一透明导电层采用电子束蒸镀的方法制作；所述第二透明导电层采用磁控溅射的方法制作。

3.如权利要求1所述的一种LED芯片，其特征在于，所述第二型半导体层具有图形化表面。

4.如权利要求3所述的一种LED芯片，其特征在于，所述第一透明导电层背离所述有源层的表面为平面。

5.如权利要求1或3所述的一种LED芯片，其特征在于，所述图形化表面包括呈阵列分布的凸柱。

6.如权利要求5所述的一种LED芯片，其特征在于，采用纳米压印技术制作所述呈阵列...

【技术特征摘要】

1.一种led芯片，其特征在于，包括：

2.如权利要求1所述的一种led芯片，其特征在于，所述第一透明导电层采用电子束蒸镀的方法制作；所述第二透明导电层采用磁控溅射的方法制作。

3.如权利要求1所述的一种led芯片，其特征在于，所述第二型半导体层具有图形化表面。

4.如权利要求3所述的一种led芯片，其特征在于，所述第一透明导电层背离所述有源层的表面为平面。

5.如权利要求1或3所述的一种led芯片，其特征在于，所述图形化表面包括呈阵列分布的凸柱。

6.如权利要求5所述的一种led芯片，其特征在于，采用纳米压印技术制作所述呈阵列分布的凸柱。

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【专利技术属性】
技术研发人员：潘健，陈帅城，邬新根，刘伟，杨德佑，
申请(专利权)人：厦门乾照光电股份有限公司，
类型：发明
国别省市：