【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及电缆击穿特性分析，具体涉及一种基于双极性载流子模型与分子链位移调制模型的聚丙烯电缆缺陷击穿预测计算方法。
技术介绍
1、随着电网输电等级的不断提高，电力电缆绝缘受电场强度的影响日益增大。在强电场作用下，电缆绝缘体内微观绝缘缺陷较易产生局部电晕放电，并诱发电树枝发展。过几十年的学术积淀，目前学界广泛认同电树枝的发生与演进是一复杂物理化学过程，其过程涉及局部放电、电致发光、电荷迁移、电机械效应等多种机制。特别是局部放电不仅是导致电树枝末端扩展的决定性因素，也是评估电缆绝缘材料电树枝老化状态的关键参数。因此，深入探究电树枝起树前放电特征的演化规律，对科学阐明电力电缆绝缘材料电树枝的精细发展机理,实现对电缆绝缘电树枝发展状态的精准评估，具有重要的理论价值和现实意义。
2、聚丙烯由于其良好的电气性能，已经被广泛应用于电力电容器中，并且由于其高击穿场强的性能，成为一种潜在的高压直流电缆绝缘材料，聚丙烯绝缘材料的直流电力电缆在直流电压作用下出现的空间电荷积聚效应及电树枝发展问题，已成为电力电缆绝缘研究的热点与难点。当前，采用...
【技术保护点】
1.基于分子链位移的电缆缺陷击穿场强预测计算方法，其特征在于包括以下步骤：
2.根据权利要求1所述基于分子链位移的电缆缺陷击穿场强预测计算方法，其特征在于：所述步骤1中，双极性载流子模型的推导过程如下：
3.根据权利要求2所述基于分子链位移的电缆缺陷击穿场强预测计算方法，其特征在于：CTMD模型中，首先，注入绝缘材料的电子可从外加电场中获得能量，并通过转移到原子中失去能量；当电子的能量高于临界值时，就会发生撞击电离，冲击电离就会启动，
4.根据权利要求1所述基于分子链位移的电缆缺陷击穿场强预测计算方法，其特征在于：所述步骤2中，针板...
【技术特征摘要】
1.基于分子链位移的电缆缺陷击穿场强预测计算方法，其特征在于包括以下步骤：
2.根据权利要求1所述基于分子链位移的电缆缺陷击穿场强预测计算方法，其特征在于：所述步骤1中，双极性载流子模型的推导过程如下：
3.根据权利要求2所述基于分子链位移的电缆缺陷击穿场强预测计算方法，其特征在于：ctmd模型中，首先，注入绝缘材料的电子可从外加电场中获得能量，并通过转移到原子中失去能量；当电子的能量高于临界值时，就会发生撞击电离，冲击电离就会启动，
4.根据权利要求1所述基于分子链位移的电缆缺陷击穿场强预测计算方法，其特征在于：所述步骤2中，针板电极模型具体包括：
5.根据权利要求1所述基于分子链位移的电缆缺陷击穿场强预测计算方法，其特征在于：所述步骤3中，将电介质内载流子迁移运输过程与分子链能量积累过程结合，具体包括：载流子扩散系数满足能斯特-爱因斯坦方程：
6.根据权利要求5所述基于分子链位移的电缆缺陷击穿场强预测计算...
【专利技术属性】
技术研发人员：张涛，刘哲恒，李亚莎，王成江，邓长征，
申请(专利权)人：三峡大学，
类型：发明
国别省市：
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