温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。

基于分子链位移的电缆缺陷击穿场强预测计算方法，基于双极性载流子模型，定义电介质内载流子迁移运输过程，将分子链能量积累过程与电介质内载流子迁移运输过程结合，得到CTMD模型；基于电缆运行过程中缺陷造成的击穿以及电树枝的形成，建立以针电极为正极...
该专利属于三峡大学所有，仅供学习研究参考，未经过三峡大学授权不得商用。

详细技术文档下载地址

温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。