金属刻蚀方法技术

本发明专利技术提供一种金属刻蚀方法，包括：提供一半导体器件，半导体器件表面形成有金属层，金属层表面存在晶界缝隙；在金属层表面涂覆光刻胶并进行曝光显影，以在光刻胶中形成图形窗口，图形窗口显露有晶界缝隙，晶界缝隙存在光刻胶残留；通入氧气并使其形成氧等离子体，对半导体器件表面的光刻胶和图形窗口中的金属层及晶界缝隙中的光刻胶残留进行预处理，以去除晶界缝隙中的光刻胶残留。本发明专利技术通过氧气去除晶界缝隙中的光刻胶残留，可以使得下方金属层在刻蚀时可以被完全去除而无金属残留，从而可以避免器件短路和漏电风险，大大提升器件的良率和稳定性。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术属于半导体集成电路设计及制造领域，特别是涉及一种金属刻蚀方法。

技术介绍

1、集成电路制造过程中，根据刻蚀材料的不同主要可以分为金属刻蚀、介质刻蚀和硅刻蚀。在晶圆制造中，分立器件金属层由下至上为氧化层101、金属钛层/氮化钛层102及金属铝层103，如图1所示。后续经过涂覆光刻胶104、显影、曝光形成所需要的图形后，对下方的金属进行刻蚀，最终形成所需的金属图形。

2、然而金属铝层103通常采用高温物理气相淀积方法溅射生长，铝晶粒在高温环境下长大导致淀积的铝层晶界之间缝隙变大。涂覆光刻胶104过程中，少量的光刻胶会流入缝隙之中。在缝隙中的涂覆光刻胶通常难以在光刻显影过程中完全曝光，会在显影时在缝隙中形成残胶，如图2所示。

3、现有铝刻蚀技术采用三步刻蚀法，分别为金属铝层103刻蚀、金属钛层/氮化钛层102刻蚀以及金属钛层/氮化钛层102过刻蚀。由于缝隙中形成有残胶105，金属铝层103刻蚀过程中，在晶界缝隙处先刻蚀残胶，刻蚀完后才会进行金属铝层103刻蚀，其他位置则直接进行金属铝层103刻蚀，在金属铝层103中形成高度差。最本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种金属刻蚀方法，其特征在于，所述金属刻蚀方法包括：

2.根据权利要求1所述的金属刻蚀方法，其特征在于：对所述晶界缝隙中的光刻胶残留进行预处理的气氛为纯氧气氛，氧气的流量为100sccm～200sccm。

3.根据权利要求1所述的金属刻蚀方法，其特征在于：对所述晶界缝隙中的光刻胶残留进行预处理的温度为70℃～90℃。

4.根据权利要求1所述的金属刻蚀方法，其特征在于：对所述晶界缝隙中的光刻胶残留进行预处理的气压为10mtorr～20mtorr。

5.根据权利要求1所述的金属刻蚀方法，其特征在于：对所述晶界缝隙中的光刻胶残留进行预处理的时...

【技术特征摘要】

1.一种金属刻蚀方法，其特征在于，所述金属刻蚀方法包括：

2.根据权利要求1所述的金属刻蚀方法，其特征在于：对所述晶界缝隙中的光刻胶残留进行预处理的气氛为纯氧气氛，氧气的流量为100sccm～200sccm。

3.根据权利要求1所述的金属刻蚀方法，其特征在于：对所述晶界缝隙中的光刻胶残留进行预处理的温度为70℃～90℃。

4.根据权利要求1所述的金属刻蚀方法，其特征在于：对所述晶界缝隙中的光刻胶残留进行预处理的气压为10mtorr～20mtorr。

5.根据权利要求1所述的金属刻蚀方法，其特征在于：对所述晶界缝隙中的光刻胶残留进行预处理的时间7s～30s。

6.根据权利要求1所述的金属刻蚀方法，其特征在于：通入氧气并使其形成氧等离子体，对所述半导体器件表面的光刻胶和所述图形窗口中的金属层及...

【专利技术属性】
技术研发人员：王泽玉，沈显青，李东，
申请(专利权)人：上海积塔半导体有限公司，
类型：发明
国别省市：