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本发明提供一种金属刻蚀方法，包括：提供一半导体器件，半导体器件表面形成有金属层，金属层表面存在晶界缝隙；在金属层表面涂覆光刻胶并进行曝光显影，以在光刻胶中形成图形窗口，图形窗口显露有晶界缝隙，晶界缝隙存在光刻胶残留；通入氧气并使其形成氧等离...
该专利属于上海积塔半导体有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过上海积塔半导体有限公司授权不得商用。

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