芯片制造监控方法及系统技术方案

本发明专利技术提供了一种芯片制造监控方法及系统，属于半导体领域。该芯片制造监控方法包括获取预定膜层中预定图形；在所述预定膜层涂布光刻胶，形成光刻胶层，基于所述预定图形，将所述光刻胶层图形化，以在所述光刻胶层上形成显开区域，所述显开区域具有边角；计算所述显开区域的面积、边角的曲率和关键尺寸；在线监控所述显开区域的面积、边角的曲率和关键尺寸的变化趋势，以捕捉芯片的运行状态。本发明专利技术通过在线监控所述显开区域的面积、边角的曲率和关键尺寸的变化趋势，以捕捉芯片的运行状态。同时，还能对芯片的满阱电容等性能进行预测，通过多维度监控芯片的制造生产，很好地保证产品的性能稳定。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及半导体，特别涉及一种芯片制造监控方法及系统。

技术介绍

1、满阱电容(full well capacity,fwc)是cis(coms图像传感器)最重要的性能参数之一，用以表征单个像素(pixel)在达到饱和之前可以容纳的电子数。由于信号读出时，容纳的电子数目将直接影响输出的压降，因此fwc决定了一个pixel可以产生的最大dn数。影响fwc的直接因素有：(1)pixel的体积：面积越大，深度越深的pixel，可容纳的电子数目越多。(2)离子掺杂浓度：单位体积内的掺杂浓度越高，该pixel可容纳的电子数目越多。pixel的深度和掺杂浓度主要由离子注入相关工艺决定。pixel的面积则与离子注入前光刻胶显开区域的面积相关，因此，对光刻胶显开区域的的产线监控十分重要，它直接影响最终量产品的性能。

2、然而目前，芯片制造厂在生产过程中主要依靠在线监测光刻胶显开区域的关键尺寸(critical dimension,cd)量测，以表征光阻显开区域的大小。参图1所示，图1为单片晶圆上fwc随关键尺寸(比如：显开区域的边长)变化的函数关系图，其关本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种芯片制造监控方法，其特征在于，包括：

2.根据权利要求1所述的芯片制造监控方法，其特征在于，该芯片制造监控方法还包括：

3.根据权利要求1所述的芯片制造监控方法，其特征在于，该芯片制造监控方法还包括：

4.根据权利要求2所述的芯片制造监控方法，其特征在于，该芯片制造监控方法还包括：

5.根据权利要求1所述的芯片制造监控方法，其特征在于，所述显开区域的关键尺寸包括显开区域的边长，以及相邻两个显开区域的间距。

6.根据权利要求3所述的芯片制造监控方法，其特征在于，所述设定的面积、边角的曲率和关键尺寸的标准由工程师编辑设定，且...

【技术特征摘要】

1.一种芯片制造监控方法，其特征在于，包括：

2.根据权利要求1所述的芯片制造监控方法，其特征在于，该芯片制造监控方法还包括：

3.根据权利要求1所述的芯片制造监控方法，其特征在于，该芯片制造监控方法还包括：

4.根据权利要求2所述的芯片制造监控方法，其特征在于，该芯片制造监控方法还包括：

5.根据权利要求1所述的芯片制造监控方法，其特征在于，所述显开区域的关键尺寸包括显开区域的边长，以及相邻两个显开区域的间距。

6.根据权利要求3所述的芯...

【专利技术属性】
技术研发人员：罗梦毫，齐金龙，李晓玉，
申请(专利权)人：上海华力微电子有限公司，
类型：发明
国别省市：