【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及一种半导体结构，且特别是涉及一种包括电容器结构的半导体结构。
技术介绍
1、电容器是广泛应用于半导体结构中的元件。目前，常通过降低位于两个电极之间的介电层的厚度来提升电容器的电容值。然而，由于介电层的厚度变小，因此会导致电容器的可靠度降低。常见的解决方法是通过高介电常数介电层来作为电容器中的介电层，以提升电容器的电容值。此外，若要提升电容器的可靠度，则高介电常数介电层必须具有足够的厚度。然而，由于高介电常数介电层的沉积速度较慢，因此会导致生产量(throughput)下降。
技术实现思路
1、本专利技术提供一种半导体结构，其可提升电容器结构的电容值与可靠度，且可提高生产量。
2、本专利技术提出一种半导体结构，包括基底与电容器结构。电容器结构设置在基底上方。电容器结构包括第一电极层、第二电极层与第一介电层。第二电极层设置在第一电极层上。第一介电层设置在第一电极层与第二电极层之间。第一介电层为包括至少一个第一氮化硅层与至少一个第一高介电常数介电层的复合介电层。
...【技术保护点】
1.一种半导体结构，包括：
2.如权利要求1所述的半导体结构，其中所述第一高介电常数介电层的材料包括氧化铝、氧化锆或氧化钽。
3.如权利要求1所述的半导体结构，其中所述电容器结构还包括：
4.如权利要求3所述的半导体结构，其中所述第二介电层的材料为氮化硅或高介电常数介电材料。
5.如权利要求3所述的半导体结构，其中所述第二介电层为包括至少一个第二氮化硅层与至少一个第二高介电常数介电层的复合介电层。
6.如权利要求5所述的半导体结构，其中所述第二高介电常数介电层的材料包括氧化铝、氧化锆或氧化钽。
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【技术特征摘要】
1.一种半导体结构，包括：
2.如权利要求1所述的半导体结构，其中所述第一高介电常数介电层的材料包括氧化铝、氧化锆或氧化钽。
3.如权利要求1所述的半导体结构，其中所述电容器结构还包括：
4.如权利要求3所述的半导体结构，其中所述第二介电层的材料为氮化硅或高介电常数介电材料。
5.如权利要求3所述的半导体结构，其中所述第二介电层为包括至少一个第二氮化硅层与至少一个第二高介电常数介电层的复合介电层。
6.如权利要求5所述的半导体结构，其中所述第二高介电常数介电层的材料包括氧化铝、氧化锆或氧化钽。
7.如权利要求1所述的半导体结构，其中所述电容器结构还包括：
8.如权利要求7所述的半导体结构，其中所述第二介电层的材料为氮化硅或高介电常数介电材料。
9.如权利要求1所述的半导体结构，还包括：
10.如权利要求9所述的半导体结构...
【专利技术属性】
技术研发人员：樱井道雄，张守仁，魏易玄，王尉霖，
申请(专利权)人：力晶积成电子制造股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
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