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本发明公开一种半导体结构，包括基底与电容器结构。电容器结构设置在基底上方。电容器结构包括第一电极层、第二电极层与第一介电层。第二电极层设置在第一电极层上。第一介电层设置在第一电极层与第二电极层之间。第一介电层为包括至少一个第一氮化硅层与至少...
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