【技术实现步骤摘要】
本申请涉及存储，具体涉及一种相变存储器及操作方法。
技术介绍
1、相变存储器（pcm）的工作原理是利用相变材料在焦耳热的作用下，产生电阻率的变化，也就是低阻晶态与高阻非晶态之间的可逆转换来实现的。其中，反复晶化是造成相变存储器失效得一个重要原因，会直接导致相变材料的极化疲劳而失效，因此，尽量减少对存储单元（cell）的重复写入，可以增加相变存储器的使用寿命。
2、其中，为了增加相变存储器的使用寿命，在每个存储单元的写入过程中，需要对该存储单元的待写入数据与该存储单元的已存储数据进行逐位比较，在相同的情况下不写入该单比特的待写入数据，在不同的情况下写入该单比特的待写入数据。
3、然而，这种操作虽然能够达到减少重复写入的目的，但对每个存储单元的待写入数据与已存储数据均做一次比较，会极大地延长写入时间，降低了写操作的效率。
技术实现思路
1、本申请提供一种相变存储器及操作方法，以缓解减少重复写入导致写入时间较长的技术问题。
2、第一方面，本申请提供一种相变存储...
【技术保护点】
1.一种相变存储器，其特征在于，所述相变存储器包括：
2.根据权利要求1所述的相变存储器，其特征在于，所述去重控制电路包括：
3.根据权利要求2所述的相变存储器，其特征在于，所述第一缓存与所述外围电路、所述异或门连接，所述第二缓存与所述外围电路、所述异或门连接。
4.根据权利要求2所述的相变存储器，其特征在于，所述待写入数据中的每位数据按照地址顺序依次排列，所述已存储数据中的每位数据按照所述地址顺序依次排列；
5.根据权利要求1所述的相变存储器，其特征在于，所述去重执行电路包括开关单元，所述开关单元的控制端接入所述去重控...
【技术特征摘要】
1.一种相变存储器，其特征在于，所述相变存储器包括：
2.根据权利要求1所述的相变存储器，其特征在于，所述去重控制电路包括：
3.根据权利要求2所述的相变存储器，其特征在于，所述第一缓存与所述外围电路、所述异或门连接，所述第二缓存与所述外围电路、所述异或门连接。
4.根据权利要求2所述的相变存储器，其特征在于，所述待写入数据中的每位数据按照地址顺序依次排列，所述已存储数据中的每位数据按照所述地址顺序依次排列；
5.根据权利要求1所述的相变存储器，其特征在于，所述去重执行电路包括开关单元，所述开关单元的控制端接入所述去重控制信号，所述开关单元的一端与所述存储单元连接，所述开关单元的另一端与所述位线连接。
6.根据权利要求5所述的相变存储器，其特征在于，在同一位地址上，当所述待写入数据的...
【专利技术属性】
技术研发人员：焦隆，刘峻，
申请(专利权)人：新存科技武汉有限责任公司，
类型：发明
国别省市：
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