【技术实现步骤摘要】
本公开内容涉及蚀刻组合物、通过使用该蚀刻组合物蚀刻含金属的膜的方法、以及通过使用该蚀刻组合物制造半导体器件的方法。
技术介绍
1、半导体器件正变得更加集成和可靠以满足消费者对高性能和低价格的需求。随着半导体集成度增加，半导体器件的可靠性和电特性可更多地被在制造半导体器件的过程期间对构成所述半导体器件的元件的损坏影响。特别地，在制造半导体器件的过程中，可对一定的膜(例如，含金属的膜)进行各种蚀刻过程，并且为了有效地进行蚀刻过程，可对于如下的蚀刻组合物存在持续的需要：其可提供优异的蚀刻速率，对相邻膜的优异的蚀刻选择性，在蚀刻后没有表面残留物，优异的储存稳定性等。
技术实现思路
1、提供蚀刻组合物，其可增加蚀刻过程的生产率和效率，同时对待蚀刻的含金属的膜具有优异的蚀刻选择性。
2、另外的方面将部分地在随后的描述中阐述，并且将部分地从所述描述中明晰，或可通过本公开内容的呈现的实施方式的实践来获悉。
3、根据本公开内容的实施方式，蚀刻组合物可包括氧化剂、铵盐、水性溶剂(含水溶...
【技术保护点】
1.蚀刻组合物，包括：
2.如权利要求1所述的蚀刻组合物，其中
3.如权利要求2所述的蚀刻组合物，其中
4.如权利要求2所述的蚀刻组合物，其中所述第一化合物为由如下式1-1至式1-6以及式2-1至式2-8之一表示的化合物：
5.如权利要求4所述的蚀刻组合物，其中
6.如权利要求4所述的蚀刻组合物，其中CY1为5元饱和环状基团或6元饱和环状基团。
7.如权利要求4所述的蚀刻组合物，其中Z1至Z6、Z11和Z12各自独立地为：
8.如权利要求2所述的蚀刻组合物，其中所述第一化合物为下面的化...
【技术特征摘要】
1.蚀刻组合物，包括：
2.如权利要求1所述的蚀刻组合物，其中
3.如权利要求2所述的蚀刻组合物，其中
4.如权利要求2所述的蚀刻组合物，其中所述第一化合物为由如下式1-1至式1-6以及式2-1至式2-8之一表示的化合物：
5.如权利要求4所述的蚀刻组合物，其中
6.如权利要求4所述的蚀刻组合物，其中cy1为5元饱和环状基团或6元饱和环状基团。
7.如权利要求4所述的蚀刻组合物，其中z1至z6、z11和z12各自独立地为：
8.如权利要求2所述的蚀刻组合物，其中所述第一化合物为下面的化合物1-e1至化合物1-e16以及化合物2-e1至化合物2-e32之一：
9.如权利要求2所述的蚀刻组合物，其中所述第二化合物由如下式3-1至式3-5之一表示：
10.如权利要求9所述的蚀刻组合物，其中w1为苯基团、环己烷基团、吡啶基团、或吡咯烷基团。
11.如权利要求2所述的蚀刻组合物，其中所述第二化合物为下面的化合物3-e1至化合物3-e...
【专利技术属性】
技术研发人员：黄圭荣，姜炳俊，金大铉，金圣玟，朴美贤，吴政玟，咸喆，
申请(专利权)人：三星电子株式会社，
类型：发明
国别省市：
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