【技术实现步骤摘要】
本专利技术属于光学薄膜,涉及一种减反射膜,尤其涉及一种红外增透减反射膜及其制备方法与应用。
技术介绍
1、表面反射光会造成两个不良的后果:一是光能量的损耗,从而降低器件的光利用效率或成像的明亮程度,二是反射光成为杂散光,造成光污染或降低像的衬度。通过在表面镀减反射膜,可以降低表面反射,从而提升器件效率或光学系统成像质量,并减少日常生活中的光污染。
2、目前,制备减反射膜的方法包括物理法与化学法。
3、例如,cn114351098a公开了一种宽带高透过单层alf3减反射膜的制备方法,包括以下步骤:sf6/ar2气体流量比设置、溅射工作压力设置,射频电源功率设置;以alf3作为靶材,以ar2作为工作气体,sf6作为反应气体,使用仪器的气路混合装置将气体充分混合,通过调整溅射时sf6/ar2气体流量比值,改善了沉积alf3薄膜中f贫乏缺陷的问题,通过调整工作压力和射频电源功率使得alf3薄膜f:al的化学计量比接近于正常化学计量比值3:1,降低了薄膜的折射率,提高了透过率。
4、cn114277343a公开
...【技术保护点】
1.一种红外增透减反射膜的制备方法,其特征在于,所述制备方法包括如下步骤:
2.根据权利要求1所述的制备方法,其特征在于,步骤(2)所述浸泡处理为水浸泡处理。
3.根据权利要求1或2所述的制备方法,其特征在于,步骤(2)所述浸泡处理的温度为60-100℃,时间为10-100min。
4.根据权利要求1-3任一项所述的制备方法,其特征在于,步骤(2)所述烘干的温度为80-90℃,时间为5-60min。
5.根据权利要求1-4任一项所述的制备方法,其特征在于,步骤(1)所得氧化铝层的厚度为50-200nm。
6.
...【技术特征摘要】
1.一种红外增透减反射膜的制备方法,其特征在于,所述制备方法包括如下步骤:
2.根据权利要求1所述的制备方法,其特征在于,步骤(2)所述浸泡处理为水浸泡处理。
3.根据权利要求1或2所述的制备方法,其特征在于,步骤(2)所述浸泡处理的温度为60-100℃,时间为10-100min。
4.根据权利要求1-3任一项所述的制备方法,其特征在于,步骤(2)所述烘干的温度为80-90℃,时间为5-60min。
5.根据权利要求1-4任一项所述的制备方法,其特征在于,步骤(1)所得氧化铝层的厚度为50-200n...
【专利技术属性】
技术研发人员:张忠俊,庄明宇,
申请(专利权)人:光驰半导体技术上海有限公司,
类型:发明
国别省市:
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