【技术实现步骤摘要】
本专利技术属于镀膜，具体涉及一种空间型ald镀膜装置、镀膜方法和复合膜。
技术介绍
1、原子层沉积(atomic layer deposition，ald)是一种基于化学气相沉积(cvd)的高精度薄膜制备技术，是将物质材料以单原子膜的形式基于化学气相一层一层的沉积在衬底表面的技术，通过将两种或更多种前体化学品分别包含被沉积材料的不同元素，一次一种元素地分别引入到衬底表面，每个前体使衬底表面饱和，从而形成单层材料。
2、目前的ald从生长序列上分类，可以分为时间型ald或空间型ald。时间型ald即在一个腔体内，按时间顺序分步将前驱体通入、吹扫、共反应物通入和吹扫，如此循环完成镀膜；空间型ald则是把各个步骤分别放在产线上的不同位点，使基片在传动机构带动下按顺序通过不同的腔室，运动一个循环即完成一层单原子膜的制备，以空间换时间，可以极大提高生产效率。
3、然而，一般的空间型ald只能制备单质膜层，或特定比例混合的多层膜，无法根据不同的需求进行特定比例制膜，用途受限，无法得到广泛应用。
4、因此，亟需设计...
【技术保护点】
1.一种空间型ALD镀膜装置，其特征在于，所述空间型ALD镀膜装置包括：
2.根据权利要求1所述的空间型ALD镀膜装置，其特征在于，所述前驱体源输气装置与所述前驱体源供气装置通过第一供气管路连接，且所述第一供气管路上设置有第一调节阀；
3.根据权利要求1所述的空间型ALD镀膜装置，其特征在于，所述第一输气口通过第一输气管路输送前驱体源至前驱体反应区域，且第一输气管路上设置有第四调节阀；
4.根据权利要求1所述的空间型ALD镀膜装置，其特征在于，所述前驱体源包括In源、Ga源、Zn源、Ti源、Al源和Si源中的至少一种；
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【技术特征摘要】
1.一种空间型ald镀膜装置，其特征在于，所述空间型ald镀膜装置包括：
2.根据权利要求1所述的空间型ald镀膜装置，其特征在于，所述前驱体源输气装置与所述前驱体源供气装置通过第一供气管路连接，且所述第一供气管路上设置有第一调节阀；
3.根据权利要求1所述的空间型ald镀膜装置，其特征在于，所述第一输气口通过第一输气管路输送前驱体源至前驱体反应区域，且第一输气管路上设置有第四调节阀；
4.根据权利要求1所述的空间型ald镀膜装置，其特征在于，所述前驱体源包括in源、ga源、zn源、ti源、al源和si源中的至少一种；
5.根据权利要求1所述的空间型ald镀膜装置，其特征在于，所述共反应物源输气装置上的第...
【专利技术属性】
技术研发人员：蓝芝江，朱瑞环，莫姗，
申请(专利权)人：光驰半导体技术上海有限公司，
类型：发明
国别省市：
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