【技术实现步骤摘要】
本专利技术构思涉及半导体器件和包括半导体器件的电子系统。
技术介绍
1、在需要数据存储的电子系统中，需要可以存储大量数据的半导体器件。因此，已进行研究来增加这些器件的数据存储容量。例如，在一种增加半导体器件的数据存储容量的方法中，存储单元三维地而非二维地布置。
技术实现思路
1、本专利技术构思的一些实施例提供了具有改进的可靠性和提高的集成度的半导体器件。
2、本专利技术构思的一些实施例提供了包括半导体器件的电子系统。
3、根据本专利技术构思的一些实施例，提供了一种半导体器件，所述半导体器件包括：栅电极，所述栅电极位于半导体衬底上；栅极电介质图案，所述栅极电介质图案位于所述栅电极与所述半导体衬底之间；第一半导体图案，所述第一半导体图案在所述半导体衬底上与所述栅电极的第一侧相邻；和第二半导体图案，所述第二半导体图案在所述半导体衬底上与所述栅电极的第二侧相邻，其中，所述第一半导体图案包括：第一通路部，所述第一通路部与所述半导体衬底接触；和第一板部，所述第一板部位于所述第一...
【技术保护点】
1.一种半导体器件，所述半导体器件包括：
2.根据权利要求1所述的半导体器件，所述半导体器件还包括：
3.根据权利要求2所述的半导体器件，所述半导体器件还包括：
4.根据权利要求2所述的半导体器件，其中，所述第一通路部比所述第二通路部更靠近所述栅电极。
5.根据权利要求2所述的半导体器件，所述半导体器件还包括位于所述半导体衬底上的下层间电介质层，所述下层间电介质层覆盖所述栅电极以及所述第一板部和所述第二板部，
6.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述第一半导体图案的顶表面和所述第二半导体图案的顶表面处于...
【技术特征摘要】
1.一种半导体器件，所述半导体器件包括：
2.根据权利要求1所述的半导体器件，所述半导体器件还包括：
3.根据权利要求2所述的半导体器件，所述半导体器件还包括：
4.根据权利要求2所述的半导体器件，其中，所述第一通路部比所述第二通路部更靠近所述栅电极。
5.根据权利要求2所述的半导体器件，所述半导体器件还包括位于所述半导体衬底上的下层间电介质层，所述下层间电介质层覆盖所述栅电极以及所述第一板部和所述第二板部，
6.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述第一半导体图案的顶表面和所述第二半导体图案的顶表面处于比所述栅电极的顶表面的垂直高度低的垂直高度处。
7.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述第一半导体图案的顶表面和所述第二半导体图案的顶表面处于比所述栅电极的顶表面的垂直高度高的垂直高度处。
8.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述第一半导体图案和所述第二半导体图案关于所述栅电极彼此对称。
9.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述第一半导体图案和所述第二半导体图案...
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