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一种半导体器件包括：栅电极，所述栅电极位于半导体衬底上；栅极电介质图案，所述栅极电介质图案位于所述栅电极与所述半导体衬底之间；第一半导体图案，所述第一半导体图案在所述半导体衬底上与所述栅电极的第一侧相邻；和第二半导体图案，所述第二半导体图案...
该专利属于三星电子株式会社所有，仅供学习研究参考，未经过三星电子株式会社授权不得商用。

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