零位错锗单晶制备方法技术

一种零位错锗单晶制备方法包括步骤：S1，将腐蚀好的锗多晶装入提拉炉的坩埚中；S2，将提拉炉抽真空，保压在真空下一定时间；S3，步骤S2之后，通入氮气，维持排气，以保持流动式压力低于大气压；S4，切换至通氢气，维持通氢气并保持流动式压力，升温熔料，熔料后提拉，提拉包括启动、引晶、缩颈、细颈、放肩、等径、收尾、降温，启动后在引晶前，籽晶与坩埚的熔体的液面间隔开直到引晶启动，在缩颈和细颈时均达到零位错，在放肩时如果出现位错则放肩的底端回熔之后再接续进行放肩，在等径时如果出现位错则等径生长的晶体的底端回熔之后再接续进行等径生长；S5，提拉的降温完成后，切换至氮气，维持排气，以保持流动式压力在常压附近，出炉。

【技术实现步骤摘要】

本公开涉及锗晶体领域，更具体地涉及一种零位错锗单晶制备方法。

技术介绍

1、为了进一步扩展锗单晶的应用场景，业界正在开发零位错这单晶。零位错锗单晶能够减少载流子复合中心，进而能更为有效地应用在太阳能电池领域，尤其是太空太阳能电池领域。

2、中国专利文献cn114250503a公开了零位错p型锗单晶制备方法，cn114606569a公开了p型低位错锗单晶制备工艺，但是两篇专利文献获得零位错锗单晶的等径部分的直径最大为6英寸。此外，两篇专利文献所获得零位锗单晶并非等径部分全部为零位错，即并非收尾前的锗单晶为零位错锗单晶。

技术实现思路

1、鉴于
技术介绍
中存在的问题，本公开的一目的在于提供一种零位错锗单晶制备方法，其能够获得等径部分的直径超过6英寸的零位错锗单晶。

2、本公开的另一目的在于提供一种零位错锗单晶制备方法，其能够获得收尾前的锗单晶为零位错锗单晶。

3、由此，一种零位错锗单晶制备方法包括步骤：s1，将腐蚀好的锗多晶装入提拉炉的坩埚中；s2，将提拉炉抽真空，保压在真空下一本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种零位错锗单晶制备方法，其特征在于，包括步骤：

2.根据权利要求1所述的零位错锗单晶制备方法，其特征在于，

3.根据权利要求2所述的零位错锗单晶制备方法，其特征在于，

4.根据权利要求3所述的零位错锗单晶制备方法，其特征在于，

5.根据权利要求1所述的零位错锗单晶制备方法，其特征在于，

6.根据权利要求1所述的零位错锗单晶制备方法，其特征在于，

7.根据权利要求1所述的零位错锗单晶制备方法，其特征在于，步骤S4的提拉包括如下子步骤：

8.根据权利要求7所述的零位错锗单晶制备方法，其特征在于，

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【技术特征摘要】

1.一种零位错锗单晶制备方法，其特征在于，包括步骤：

2.根据权利要求1所述的零位错锗单晶制备方法，其特征在于，

3.根据权利要求2所述的零位错锗单晶制备方法，其特征在于，

4.根据权利要求3所述的零位错锗单晶制备方法，其特征在于，

5.根据权利要求1所述的零位错锗单晶制备方法，其...

【专利技术属性】
技术研发人员：顾小英，赵青松，牛晓东，狄聚青，张家瑛，
申请(专利权)人：安徽光智科技有限公司，
类型：发明
国别省市：