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一种零位错锗单晶制备方法包括步骤：S1，将腐蚀好的锗多晶装入提拉炉的坩埚中；S2，将提拉炉抽真空，保压在真空下一定时间；S3，步骤S2之后，通入氮气，维持排气，以保持流动式压力低于大气压；S4，切换至通氢气，维持通氢气并保持流动式压力，升温...
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