【技术实现步骤摘要】
本技术涉及mos管,具体为一种矩阵排列式功率mos管。
技术介绍
1、mos,是mosfet的缩写,mosfet金属-氧化物半导体场效应晶体管,简称金氧半场效晶体管。
2、中国专利公开号为cn219144160u的专利,其公开日为20230606,其公开了一种矩阵排列式功率mos管,包括管体,管体的左右两侧均设置有引脚,两个引脚的表面均套接有固定套,两个固定套相对的一侧分别与管体的左侧和右侧固定连接,两个固定套的下表面均固定连接有固定杆,两个固定杆的底端固定连接有铜板,铜板的上表面固定连接有散热片,散热片的顶部与管体的下表面搭接。
3、上述专利能够解决对应的技术问题,解决了当前的矩阵排列式功率mos管在焊接工作中,由于压力力度过大易造成引脚变形或折断,从而影响引脚焊接的问题,但是上述的mos管在使用过程中还存在一些弊端:
4、首先该mos管的引脚与固定套、固定杆以及散热片为一个整体固定,当mos管损坏更换时,连同引脚与固定套、固定杆以及散热片一起更换,使得该支撑散热部件不能够与mos管分离,造成了资源
...【技术保护点】
1.一种矩阵排列式功率MOS管,包括管体(1),所述管体(1)的两侧均安装有引脚(2),其特征在于:
2.根据权利要求1所述的一种矩阵排列式功率MOS管,其特征在于:所述上安装板(7)的顶部为镂空状结构。
3.根据权利要求2所述的一种矩阵排列式功率MOS管,其特征在于:所述下散热部件包括多个下安装板(9),所述下安装板(9)固定安装在两个所述支撑腿(5)之间,所述下安装板(9)上固定安装有多个下散热板(10),所述下散热板(10)与所述管体(1)的底部接触。
4.根据权利要求3所述的一种矩阵排列式功率MOS管,其特征在于:所述下散热
...【技术特征摘要】
1.一种矩阵排列式功率mos管,包括管体(1),所述管体(1)的两侧均安装有引脚(2),其特征在于:
2.根据权利要求1所述的一种矩阵排列式功率mos管,其特征在于:所述上安装板(7)的顶部为镂空状结构。
3.根据权利要求2所述的一种矩阵排列式功率mos管,其特征在于:所述下散热部件包括多个下安装板(9),所述下安装板(9)固定安装在两个所述支撑腿(5)之间,所述下安装板(9)上固定安装有多个下散热板(10),所述下散热板(10)与所述管体(1)的底部接触。
4.根据权利要求3所述的一种矩阵排列式功率mos管,其特...
【专利技术属性】
技术研发人员:施华,李燕,熊雪娥,吴陈瑾,熊哲鹏,刘阳,
申请(专利权)人:厦门麒思微电子有限公司,
类型:新型
国别省市:
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