【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及半导体存储器与集成电路，尤其涉及一种氧化铪基铁电薄膜电容及其制作方法。
技术介绍
1、超大规模集成电路(very large scale integration circuit，vlsi)代表了微电子技术的重大进步，其发展要求器件尺寸的持续微缩，氧化层的纵向、横向尺寸都将随之微缩，从而确保器件和集成电路的长期稳定的工作。在相同的栅极电压条件下，降低器件工作电压成为一种有效克服“波尔兹曼暴政”的方法，这样的改进使得超大规模集成电路能够更加节能高效地运行。
2、半导体存储器是信息技术发展的核心芯片，铁电存储器具有超高抗辐射能力、读写速度快等突出优势，将引领新型存储器的发展方向。铁电存储器的存储原理是基于铁电材料的双稳态自发极化，当铁电材料处于向上(或向下)的极化状态，相应的铁电存储单元的信息为“1”(或“0”)，所以铁电薄膜的性能直接决定铁电存储器的性能。hfo2基铁电材料具有可微缩化、与cmos工艺兼容、无重金属离子污染等特点得到广泛的关注。
3、目前大部分相关hfo2铁电薄膜厚度为10nm，工作电压...
【技术保护点】
1.一种氧化铪基铁电薄膜电容，其特征在于，包括：包括由下至上依次设置的：衬底层、下电极层、铁电层、上电极层；其中所述铁电层包括至少一个堆叠结构，所述堆叠结构包括至少两层氧化锆和至少两层氧化铪。
2.如权利要求1所述的氧化铪基铁电薄膜电容，其特征在于，所述堆叠结构包括由下至上两层氧化锆和三层氧化铪。
3.如权利要求1所述的氧化铪基铁电薄膜电容，其特征在于，所述衬底层包括硅、锗、砷化镓、氮化镓、氧化镓、氧化锌、碳化硅、氧化硅、氧化铝、氮化硅、钛酸锶。
4.如权利要求1所述的氧化铪基铁电薄膜电容，其特征在于，所述电极层包括氮化钛、氮化钽、...
【技术特征摘要】
1.一种氧化铪基铁电薄膜电容，其特征在于，包括：包括由下至上依次设置的：衬底层、下电极层、铁电层、上电极层；其中所述铁电层包括至少一个堆叠结构，所述堆叠结构包括至少两层氧化锆和至少两层氧化铪。
2.如权利要求1所述的氧化铪基铁电薄膜电容，其特征在于，所述堆叠结构包括由下至上两层氧化锆和三层氧化铪。
3.如权利要求1所述的氧化铪基铁电薄膜电容，其特征在于，所述衬底层包括硅、锗、砷化镓、氮化镓、氧化镓、氧化锌、碳化硅、氧化硅、氧化铝、氮化硅、钛酸锶。
4.如权利要求1所述的氧化铪基铁电薄膜电容，其特征...
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。