一种用于降低输入电容的功率MOS场效应晶体管制造技术

本技术公开一种用于降低输入电容的功率MOS场效应晶体管，包括：晶体管本体，晶体管本体包括源极电极，源极电极的上部中央开设有第一镂空结构，源极电极的下部设有绝缘介质层，绝缘介质层的内部固定连接有栅极电极，栅极电极的中央上部开设有第二镂空结构；通过在晶体管本体的前后两侧设有第一散热外壳和第二散热外壳，第二散热外壳通过热塑接板与第一散热外壳固定连接，第一散热外壳的前部镶嵌有散热铝板，散热铝板上开设有散热通孔，能够起到加速散热的作用，第一散热外壳的下部固定连接有针脚护板，能够起到保护针脚的作用。

【技术实现步骤摘要】

本技术涉及晶体管，特别涉及一种用于降低输入电容的功率mos场效应晶体管。

技术介绍

1、mos场效应晶体管即金属(metal)氧化物(oxide)半导(semiconductor)场效应晶体管，英文简称mosfet，是一种应用场效应原理工作的半导体器件；和普通双极型晶体管相比，mos管具有输入阻抗高、噪声低、动态范围大、功耗小、易于集成等优势，在开关电源、镇流器、高频感应加热、高频逆变焊机、通信电源等高频电源领域得到了越来越普遍的应用。

2、现有的晶体管，如中国技术公开号cn219321357u公开了一种用于降低输入电容的功率mos场效应晶体管，包括：基底；栅极区，其形成于所述基底一侧中且包含与所述基底的一部分接触的栅极电极；漏极区，其形成于所述基底另一侧中且与源极区分离；以及源极区，其形成于所述基底中且包含与所述基底的一部分接触的源极电极，该源极电极包围所述栅极区，所述源极电极与栅极区之间通过绝缘介质层电隔离；所述源极电极相对栅极区的位置具有第一镂空结构区域，该第一镂空结构区域至少覆盖所述栅极电极的部分区域。

3、上述专利虽然能够本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种用于降低输入电容的功率 MOS 场效应晶体管，其特征在于，包括：

2.根据权利要求1所述的一种用于降低输入电容的功率 MOS 场效应晶体管，其特征在于：所述栅极电极（7）的下部固定连接有栅氧化层（6）。

3.根据权利要求1所述的一种用于降低输入电容的功率 MOS 场效应晶体管，其特征在于：所述源极电极（9）和绝缘介质层（8）的下部固定连接有外延层（3）。

4.根据权利要求3所述的一种用于降低输入电容的功率 MOS 场效应晶体管，其特征在于：所述外延层（3）的下部固定连接有栅极区（2）。

5.根据权利要求4所述的一种用于降低输入电容的...

【技术特征摘要】

1.一种用于降低输入电容的功率 mos 场效应晶体管，其特征在于，包括：

2.根据权利要求1所述的一种用于降低输入电容的功率 mos 场效应晶体管，其特征在于：所述栅极电极（7）的下部固定连接有栅氧化层（6）。

3.根据权利要求1所述的一种用于降低输入电容的功率 mos 场效应晶体管，其特征在于：所述源极电极（9）和绝缘介质层（8）的下部固定连接有外延层（3）。

4.根据权利要求3所述的一种用于降低输入电容的功率 mos 场效应晶体管，其特征在于：所述外延层（3）的下部固定连接有栅极区（2）。

5.根据权利要求4所述的一种用于降低输入电容的功率 mos 场效应晶体管，其特征在于：所述栅极区（2）的下部固定连接有基底（1）。

6.根据权利要求3所述的一种用于降低输入电容的功率 mos...

【专利技术属性】
技术研发人员：施华，李燕，刘阳，熊哲鹏，熊雪娥，吴陈瑾，
申请(专利权)人：厦门麒思微电子有限公司，
类型：新型
国别省市：