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本技术公开一种用于降低输入电容的功率MOS场效应晶体管，包括：晶体管本体，晶体管本体包括源极电极，源极电极的上部中央开设有第一镂空结构，源极电极的下部设有绝缘介质层，绝缘介质层的内部固定连接有栅极电极，栅极电极的中央上部开设有第二镂空结构；...
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