【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术总体上涉及pcled、pcled阵列、包括pcled或pcled阵列的光源、以及包括pcled阵列的显示器。
技术介绍
1、半导体发光二极管和激光二极管(在本文中统称为“led”)是当前可用的最有效的光源之一。led的发射光谱通常在由该器件的结构和由其构成的半导体材料的成分所确定的波长处表现出单一的窄峰。通过合适地选择器件结构和材料体系，led可以被设计为在紫外、可见、或红外波长处来操作。
2、led可以与吸收由led发射的光并作为响应发射更长波长的光的一种或多种波长转换材料(在本文中一般称为“磷光体”)组合。对于这种磷光体转换led(“pcled”)，由led发射的被磷光体吸收的光的份额取决于由led发射的光的光路上的磷光体材料的量，例如取决于设置在led上或led周围的磷光体层中磷光体材料的浓度以及该层的厚度。可以将磷光体转换led设计为使得由led发射的所有光都被一种或多种磷光体吸收，在该情况下，来自pcled的发射完全来自磷光体。在这种情况下，例如，可以选择磷光体以在狭窄的光谱区域内发射光，该光不由led直...
【技术保护点】
1.一种发光器件，包括：
2.根据权利要求1所述的发光器件，其中所述光脉冲的时间半峰全宽小于或等于30纳秒、小于或等于20纳秒、小于或等于10纳秒或小于或等于5纳秒。
3.根据权利要求1所述的发光器件，其中所述控制器被配置为调整所述时间半峰全宽、所述最大振幅、所述时间脉冲间隔或其任何组合，以调整透射穿过所述磷光体材料的未被吸收的初级光的量。
4.根据权利要求1所述的发光器件，其中：
5.根据权利要求1所述的发光器件，其中：
6.根据权利要求1-5中任一项所述的发光器件，其中所述初级光是蓝光。
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【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】
1.一种发光器件，包括：
2.根据权利要求1所述的发光器件，其中所述光脉冲的时间半峰全宽小于或等于30纳秒、小于或等于20纳秒、小于或等于10纳秒或小于或等于5纳秒。
3.根据权利要求1所述的发光器件，其中所述控制器被配置为调整所述时间半峰全宽、所述最大振幅、所述时间脉冲间隔或其任何组合，以调整透射穿过所述磷光体材料的未被吸收的初级光的量。
4.根据权利要求1所述的发光器件，其中：
5.根据权利要求1所述的发光器件，其中：
6.根据权利要求1-5中任一项所述的发光器件，其中所述初级光是蓝光。
7.根据权利要求1-6中任一项所述的发光器件，其中所述磷光体材料电子跃迁弛豫时间小于或等于10毫秒。
8.根据权利要求7所述的发光器件，其中所述磷光体材料电子跃迁弛豫时间小于或等于1毫秒。
9.根据权利要求8所述的发光器件，其中所述磷光体材料电子跃迁弛豫时间小于或等于0.1毫秒。
10.根据权利要求1-9中任一项所述的发光器件，其中所述磷光体材料是或包括yag:ce3+。
11.根据权利要求1...
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