【技术实现步骤摘要】
本公开涉及集成电路，并且更特别地，涉及跨栅极切割的导电桥。
技术介绍
1、随着集成电路在尺寸方面不断缩小，出现了许多挑战。例如，减小存储器和逻辑单元的尺寸变得越来越困难。光刻技术的某些方面会对某些结构被多么准确地对准施加物理限制。由于集成电路布局的高度复杂性，需要额外掩模工艺或严格对准容差的任何结构产生器件的可能故障点。因此，关于形成这种高密度半导体器件，仍然存在许多重要的挑战。
技术实现思路
【技术保护点】
1.一种集成电路，包括：
2.根据权利要求1所述的集成电路，其中电介质壁包括沿着电介质壁的一个或多个边缘的电介质层和电介质壁的剩余体积中的电介质填充物。
3.根据权利要求2所述的集成电路，其中电介质层包括低K电介质材料。
4.根据权利要求1所述的集成电路，其中第一半导体区包括多个第一半导体纳米带，并且第二半导体区包括多个第二半导体纳米带。
5.根据权利要求4所述的集成电路，其中多个第一半导体纳米带和多个第二半导体纳米带包括锗、硅或其组合。
6.根据权利要求1所述的集成电路，还包括围绕第一半导体区和第二半导体区...
【技术特征摘要】
1.一种集成电路，包括：
2.根据权利要求1所述的集成电路，其中电介质壁包括沿着电介质壁的一个或多个边缘的电介质层和电介质壁的剩余体积中的电介质填充物。
3.根据权利要求2所述的集成电路，其中电介质层包括低k电介质材料。
4.根据权利要求1所述的集成电路，其中第一半导体区包括多个第一半导体纳米带，并且第二半导体区包括多个第二半导体纳米带。
5.根据权利要求4所述的集成电路，其中多个第一半导体纳米带和多个第二半导体纳米带包括锗、硅或其组合。
6.根据权利要求1所述的集成电路，还包括围绕第一半导体区和第二半导体区的栅极电介质层，使得栅极电介质层在第一半导体区和栅极电极之间，并且在第二半导体区和栅极电极之间。
7.根据权利要求6所述的集成电路，其中栅极电介质层不在第三方向上沿着电介质壁的任何侧壁延伸。
8.根据权利要求1至7中任一项所述的集成电路，其中电介质层的第一厚度大于电介质层的第二厚度。
9.根据权利要求1至7中任一项所述的集成电路，其中电介质壁是第一电介质壁，并且集成电路还包括：
10.根据权利要求1至7中任一项所述的集成电路，其中电介质壁在第一源极区和第二源极区之间以及第一漏极区和第二漏极区之间在第一方向上延伸。
11.一种印刷电路板，其包括根据权利要求1至7中任一项所述的集成电路。
12.一种电子器件，包括：
13.根据权利要求12所述的电子器件，其中栅极切割包括沿着栅极切割的一个或多个边缘的电介质层和栅极切割的剩余体积中的电介质填充物。
14.根据权利要求12所述的电子器件，还包括围绕第一半导体区和第二半导体区的...
【专利技术属性】
技术研发人员：L·P·古勒，S·刘，S·阿查里亚，T·奥布莱恩，K·加内桑，A·K·拉卡尼，P·K·卢特拉，N·坎德尔瓦尔，C·J·恩格尔，B·朱，M·拉马纳坦，
申请(专利权)人：英特尔公司，
类型：发明
国别省市：
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