【技术实现步骤摘要】
本专利技术构思的方面涉及一种散热结构和包括该散热结构的半导体封装。
技术介绍
1、近来，电子产品包括一个半导体封装中封装的各种半导体器件，并且各种半导体器件彼此电连接以用作单个系统。然而，当半导体器件操作时可能产生过多热，因此，半导体封装的性能可能由于这种过多热而降低。
技术实现思路
1、本专利技术构思的方面提供了一种具有提高的散热特性的散热结构。
2、本专利技术构思的方面提供了一种具有提高的散热特性的半导体封装。
3、根据本专利技术构思的一方面，一种半导体封装包括：衬底；第一半导体器件，在衬底上；以及散热结构，在第一半导体器件上，散热结构包括：散热室，被配置为提供工作流体在其中移动的内部空间；以及多个第一隔离壁，布置在散热室中，以限定第一中心通道以及经由第一中心通道彼此连通的多个第一蒸汽通道，其中，多个第一隔离壁中的每一个与第一半导体器件竖直地重叠，第一中心通道与第一半导体器件竖直地重叠，并且多个第一蒸汽通道中的每一个从第一中心通道在横向方向上延伸。
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【技术保护点】
1.一种半导体封装，包括：
2.根据权利要求1所述的半导体封装，其中，所述散热室包括：
3.根据权利要求2所述的半导体封装，其中，所述多个第一隔离壁中的每一个连续接触所述下壁，并且从所述第一中心通道延伸到所述散热室的所述侧壁之中与其相对应的侧壁。
4.根据权利要求3所述的半导体封装，其中，在平面图中，所述多个第一隔离壁中的每一个第一隔离壁的水平宽度朝向所述散热室的所述侧壁之中与其相对应的侧壁增大。
5.根据权利要求1所述的半导体封装，还包括布置在所述衬底上的第二半导体器件，
6.根据权利要求5所述的半导体封装...
【技术特征摘要】
1.一种半导体封装，包括：
2.根据权利要求1所述的半导体封装，其中，所述散热室包括：
3.根据权利要求2所述的半导体封装，其中，所述多个第一隔离壁中的每一个连续接触所述下壁，并且从所述第一中心通道延伸到所述散热室的所述侧壁之中与其相对应的侧壁。
4.根据权利要求3所述的半导体封装，其中，在平面图中，所述多个第一隔离壁中的每一个第一隔离壁的水平宽度朝向所述散热室的所述侧壁之中与其相对应的侧壁增大。
5.根据权利要求1所述的半导体封装，还包括布置在所述衬底上的第二半导体器件，
6.根据权利要求5所述的半导体封装，其中，在平面图中，所述多个第一隔离壁中的至少一个延伸跨过所述第二半导体器件。
7.根据权利要求5所述的半导体封装，其中：
8.根据权利要求5所述的半导体封装，还包括布置在所述衬底上的第三半导体器件，
9.根据权利要求5所述的半导体封装，其中，所述散热结构还包括散热板，所述散热板布置在所述散热室中并且被配置为与所述第二半导体器件竖直地重叠。
10.根据权利要求1所述的半导体封装，其中，所述散热结构还包括布置在所述散热室的外表面上的多个微突起结构。
11.根据权利要求1所述的半导体封装，还包括第一毛细管结构，所述第一毛细管结构设置在所述散热室的内表面上并且被配置为引导处于液相的工作流体。
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【专利技术属性】
技术研发人员：姜圣求，金载春，文圣昊，朴桓柱，
申请(专利权)人：三星电子株式会社，
类型：发明
国别省市：
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