基板处理装置、基板处理方法、半导体装置的制造方法及记录介质制造方法及图纸

本发明专利技术的课题为抑制外部气体混入处理室内。基板处理装置具有：上部容器；下部容器，其设置于所述上部容器的下方，在与所述上部容器之间构成处理室；第一密封部，其配置于所述上部容器与所述下部容器的边界区域，并具有第一密封部件和第二密封部件；以及支撑部件，其具备在所述上部容器的下方配置于最高位置的支撑面，在水平方向设置于所述第一密封部件与所述第二密封部件之间，由比所述第一密封部件和所述第二密封部件硬的材质构成。

【技术实现步骤摘要】

本公开涉及基板处理装置、基板处理方法、半导体装置的制造方法及记录介质。

技术介绍

1、在进行基板的处理的基板处理装置中设置有处理基板的处理室，该处理室在基板处理中与外部密闭。在专利文献1中，由石英制的上部容器和金属制的下部容器构成处理室，利用凸缘按压件将设于上部容器的下部的凸缘部向下方按压，并且利用支撑部件进行支撑。并且，利用密封部件将上部容器与下部容器之间密封。

2、现有技术文献

3、专利文献

4、专利文献1：日本特开2006-278631号公报

技术实现思路

1、专利技术要解决的课题

2、即使像这样利用密封部件将上部容器与下部容器之间密封，有时也会在处理室中混入外部气体。

3、本公开提供一种抑制外部气体向处理室内侵入的技术。

4、用于解决课题的手段

5、根据本公开的一个方式，提供一种技术，基板处理装置具有：

6、上部容器；

7、下部容器，其设置于所述上部容器的下方，在与所述上部容器之间构成处理室；<本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种基板处理装置，其特征在于，具有：

2.根据权利要求1所述的基板处理装置，其特征在于，

3.根据权利要求1所述的基板处理装置，其特征在于，

4.根据权利要求1所述的基板处理装置，其特征在于，

5.根据权利要求4所述的基板处理装置，其特征在于，

6.根据权利要求4所述的基板处理装置，其特征在于，

7.根据权利要求4所述的基板处理装置，其特征在于，

8.根据权利要求4所述的基板处理装置，其特征在于，

9.根据权利要求4所述的基板处理装置，其特征在于，

10.根据权利要求4所述的基...

【技术特征摘要】

1.一种基板处理装置，其特征在于，具有：

2.根据权利要求1所述的基板处理装置，其特征在于，

3.根据权利要求1所述的基板处理装置，其特征在于，

4.根据权利要求1所述的基板处理装置，其特征在于，

5.根据权利要求4所述的基板处理装置，其特征在于，

6.根据权利要求4所述的基板处理装置，其特征在于，

7.根据权利要求4所述的基板处理装置，其特征在于，

8.根据权利要求4所述的基板处理装置，其特征在于，

9.根据权利要求4所述的基板处理装置，其特征在于，

10.根据权利要求4所述的基板处理装置，其特征在于，

11.根据权利要求4所...

【专利技术属性】
技术研发人员：保井毅，阮文昭，
申请(专利权)人：株式会社国际电气，
类型：发明
国别省市：