半导体器件和具有嵌入的石墨烯芯壳的部分屏蔽的方法技术

技术编号:42837496 阅读:33 留言:0更新日期:2024-09-27 17:10
一种半导体器件具有衬底和设置在衬底上的电部件。第一密封剂沉积在电部件和衬底上。在第一密封剂的表面上形成具有石墨烯芯壳的第一屏蔽层。第二密封剂沉积在第一密封剂和第一屏蔽层上。在第二密封剂上形成第二屏蔽层。第一屏蔽层至少部分地形成在第一密封剂的开口中。石墨烯芯壳具有铜芯。第一屏蔽层具有被石墨烯覆盖的多个芯,并且石墨烯在第一屏蔽层内互连以形成电路径。该电路径消散入射在屏蔽层上的任何电荷,诸如ESD事件,以减少或抑制EMI、RFI和其他器件间干扰的影响。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术总体上涉及半导体器件,并且更具体地涉及形成具有嵌入在第一密封剂和第二密封剂之间的石墨烯芯壳的屏蔽层的方法和半导体器件。


技术介绍

1、半导体器件通常发现于现代电子产品中。半导体器件执行各种各样的功能,诸如信号处理、高速计算、发射和接收电磁信号、控制电子器件、光电以及为电视显示器创建视觉图像。半导体器件发现于通信、功率转换、网络、计算机、娱乐和消费产品领域中。半导体器件还发现于军事应用、航空、汽车、工业控制器和办公设备中。

2、特别是在诸如射频(rf)无线通信的高频应用中的半导体器件通常包含一个或多个集成无源器件(ipd)来执行必要的电功能。可以将多个半导体管芯和ipd集成到sip模块中,以用于在小空间中的更高密度和扩展的电功能性。在sip模块内,半导体管芯和ipd设置在衬底上,以用于结构支撑和电互连。密封剂沉积在半导体管芯、ipd和衬底上。

3、sip模块包括高速数字和rf电部件,高度集成以用于小尺寸和低高度,并在高时钟频率和高额定功率下操作。电磁屏蔽材料通常共形地施加在密封剂上。电磁屏蔽材料减少或抑制电磁干扰(emi)、本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种半导体器件,包括:

2.根据权利要求1所述的半导体器件,进一步包括形成在所述第二密封剂上的第二屏蔽层。

3.根据权利要求1所述的半导体器件,其中,所述石墨烯芯壳包括铜芯。

4.根据权利要求1所述的半导体器件,其中,所述第一屏蔽层包括被石墨烯覆盖的多个芯,并且所述石墨烯在所述第一屏蔽层内互连以形成电路径。

5.根据权利要求1所述的半导体器件,其中,所述第一屏蔽层包括热固性材料或聚合物或复合环氧树脂型基体,并且所述石墨烯芯壳嵌入在所述热固性材料或聚合物或复合环氧树脂型基体内。

6.一种半导体器件,包括:</p>

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【技术特征摘要】

1.一种半导体器件,包括:

2.根据权利要求1所述的半导体器件,进一步包括形成在所述第二密封剂上的第二屏蔽层。

3.根据权利要求1所述的半导体器件,其中,所述石墨烯芯壳包括铜芯。

4.根据权利要求1所述的半导体器件,其中,所述第一屏蔽层包括被石墨烯覆盖的多个芯,并且所述石墨烯在所述第一屏蔽层内互连以形成电路径。

5.根据权利要求1所述的半导体器件,其中,所述第一屏蔽层包括热固性材料或聚合物或复合环氧树脂型基体,并且所述石墨烯芯壳嵌入在所述热固性材料或聚合物或复合环氧树脂型基体内。

6.一种半导体器件,包括:

7.根据权利要求6所述的半导体器件,进一步包括形成在第二密封剂上的第二屏蔽层。

8.根据权利要求6所述的半导体器件,其中,所述石墨烯芯壳包括铜芯。

9.根据权利要...

【专利技术属性】
技术研发人员:申容武李喜秀金熙娟
申请(专利权)人:星科金朋私人有限公司
类型:发明
国别省市:

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