【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及晶圆加工，具体为一种超临界晶圆清洗/干燥介质回收方法以及系统。
技术介绍
1、半导体晶圆是半导体工业中最重要的一种材料，对于其表面洁净度有着很高的要求。在半导体晶圆加工工艺中，为了保证晶圆表面溶剂的有效脱除，维持晶圆表面清洁，对晶圆表面的清洗和干燥是不可或缺的流程。而一些超临界态介质具有零表面张力的特点，能够更顺利地深入晶圆表面的孔隙结构，实现对溶剂的高效脱除。
2、现有的超临界态介质清洗和干燥工艺通常将超临界态的清洗/干燥介质作为“一次性”消耗品，但清洗和干燥工艺过程中对超临界态的清洗/干燥介质消耗量大，导致晶圆清洗/干燥的成本过高。进一步地，由于在特定的温度和/或压力环境中，溶剂与清洗/干燥介质可能会发生一定程度的互溶，难以通过一些简单的分离方式(例如气液分离、分液等方式)进行清洗/干燥介质的分离回收，尝尝会导致回收的清洗/干燥介质中残留较多的溶剂杂质，纯度较低。
3、因此本领域亟需一种高纯度的超临界晶圆清洗/干燥介质回收工艺以降低半导体晶圆的清洗和干燥成本。
技术实...
【技术保护点】
1.一种超临界晶圆清洗/干燥介质回收方法，其特征在于，包括以下步骤：
2.如权利要求1所述的超临界晶圆清洗/干燥介质回收方法，其特征在于，所述吸附步骤在第一压力中进行，所述解吸步骤在第二压力中进行，所述第一压力大于所述第二压力。
3.如权利要求2所述的超临界晶圆清洗/干燥介质回收方法，其特征在于，所述清洗/干燥介质为二氧化碳，所述吸附步骤中的所述第一压力为0.2～6MPa，所述解吸步骤中的所述第二压力不大于0MPa。
4.如权利要求1所述的超临界晶圆清洗/干燥介质回收方法，其特征在于，在所述吸附步骤中，调节所述混合介质的压力为第一压...
【技术特征摘要】
1.一种超临界晶圆清洗/干燥介质回收方法，其特征在于，包括以下步骤：
2.如权利要求1所述的超临界晶圆清洗/干燥介质回收方法，其特征在于，所述吸附步骤在第一压力中进行，所述解吸步骤在第二压力中进行，所述第一压力大于所述第二压力。
3.如权利要求2所述的超临界晶圆清洗/干燥介质回收方法，其特征在于，所述清洗/干燥介质为二氧化碳，所述吸附步骤中的所述第一压力为0.2～6mpa，所述解吸步骤中的所述第二压力不大于0mpa。
4.如权利要求1所述的超临界晶圆清洗/干燥介质回收方法，其特征在于，在所述吸附步骤中，调节所述混合介质的压力为第一压力，调节吸附/解吸单元的压力为第一压力，将所述混合介质通入吸附/解吸单元中，在所述混合介质与所述吸附/解吸单元内的所述清洗/干燥介质吸附剂充分接触吸附后，将未被...
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